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1. (WO2019039238) 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター
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国際公開番号: WO/2019/039238 国際出願番号: PCT/JP2018/029268
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 03.08.2018
IPC:
H01S 5/343 (2006.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,C30B 25/02 (2006.01) ,C30B 29/38 (2006.01) ,F21S 2/00 (2016.01) ,H01L 21/203 (2006.01) ,H01S 5/12 (2006.01) ,F21Y 115/30 (2016.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34
量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ(SQWレーザ),多重量子井戸型レーザ(MQWレーザ),傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ(GRINSCHレーザ)
343
A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
F 機械工学;照明;加熱;武器;爆破
21
照明
S
非携帯用の照明装置またはそのシステム
2
メイングループ4/00~10/00または19/00に分類されない照明装置のシステム,例.モジュール式構造のもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
12
周期構造を有する共振器,例.分布帰還型レーザ(DFBレーザ)におけるもの
[IPC code unknown for F21Y 115/30]
出願人:
セイコーエプソン株式会社 SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区新宿四丁目1番6号 1-6, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1608801, JP
学校法人上智学院 SOPHIA SCHOOL CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区紀尾井町7番1号 7-1 Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1028554, JP
発明者:
野田 貴史 NODA, Takafumi; JP
岸野 克巳 KISHINO, Katsumi; JP
代理人:
布施 行夫 FUSE, Yukio; JP
大渕 美千栄 OFUCHI, Michie; JP
川▲崎▼ 通 KAWASAKI, Toru; JP
松本 充史 MATSUMOTO, Mitsufumi; JP
優先権情報:
2017-16142624.08.2017JP
発明の名称: (EN) LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND PROJECTOR
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET PROJECTEUR
(JA) 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター
要約:
(EN) A light emitting device which comprises a substrate and a multilayer body that is provided on the substrate and has a plurality of columnar parts, and wherein: each one of the columnar parts has an n-type first semiconductor layer, a p-type second semiconductor layer, a light emitting layer that is arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and an electrode that is provided on a surface of the multilayer body, said surface being on the reverse side of the substrate-side surface; the first semiconductor layer is arranged between the light emitting layer and the substrate; an end of the light emitting layer, said end being on the opposite side of the substrate-side end, has a first facet surface; an end of the second semiconductor layer, said end being on the opposite side of the substrate-side end, has a second facet surface; and if θ1 is the taper angle of the first facet surface and θ2 is the taper angle of the second facet surface, θ1 and θ2 satisfy the relational expression θ1 ≤ θ2.
(FR) L'invention concerne un dispositif électroluminescent comprenant un substrat et un corps multicouche disposé sur le substrat et comportant une pluralité de parties en colonne. Selon l'invention, chacune des parties en colonne comporte une première couche semi-conductrice de type n, une seconde couche semi-conductrice de type p, une couche électroluminescente qui est disposée entre la première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice, et une électrode disposée sur une surface du corps multicouche, ladite surface se trouvant du côté opposé à la surface côté substrat; la première couche semi-conductrice est disposée entre la couche électroluminescente et le substrat; une extrémité de la couche électroluminescente, ladite extrémité se trouvant du côté opposé à l'extrémité côté substrat, comporte une première surface de facette; une extrémité de la seconde couche semi-conductrice, ladite extrémité se trouvant du côté opposé à l'extrémité côté substrat, comporte une seconde surface de facette; et si θ1 est l'angle de conicité de la première surface de facette et θ2 est l'angle de conicité de la seconde surface de facette, θ1 et θ2 satisfont l'expression relationnelle θ1 ≤ θ2.
(JA) 基体と、前記基体に設けられ、複数の柱状部を有する積層体と、を有し、前記柱状部は、n型の第1半導体層と、p型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、前記積層体の前記基体側とは反対側に設けられた電極と、を有し、前記第1半導体層は、前記発光層と前記基体との間に設けられ、前記発光層の前記基体側とは反対側の端部は、第1ファセット面を有し、前記第2半導体層の前記基体側とは反対側の端部は、第2ファセット面を有し、前記第1ファセット面のテーパー角をθ1、前記第2ファセット面のテーパー角をθ2としたとき、θ1≦θ2の関係を満たす、発光装置。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)