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1. (WO2019039208) 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子
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国際公開番号: WO/2019/039208 国際出願番号: PCT/JP2018/028563
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 31.07.2018
IPC:
H01L 33/16 (2010.01) ,C30B 29/38 (2006.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
16
特定の結晶構造や結晶方位を有するもの,例.多結晶,アモルファス,ポーラス
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
出願人:
日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP
発明者:
平尾 崇行 HIRAO Takayuki; JP
中西 宏和 NAKANISHI Hirokazu; JP
市村 幹也 ICHIMURA Mikiya; JP
下平 孝直 SHIMODAIRA Takanao; JP
坂井 正宏 SAKAI Masahiro; JP
吉野 隆史 YOSHINO Takashi; JP
代理人:
細田 益稔 HOSODA Masutoshi; JP
青木 純雄 AOKI Sumio; JP
優先権情報:
2018-06153528.03.2018JP
PCT/JP2017/03037324.08.2017JP
PCT/JP2017/03403521.09.2017JP
発明の名称: (EN) GROUP 13 ELEMENT NITRIDE LAYER, FREESTANDING SUBSTRATE AND FUNCTIONAL ELEMENT
(FR) COUCHE DE NITRURE D'ÉLÉMENT DU GROUPE 13, SUBSTRAT AUTO-PORTEUR ET ÉLÉMENT FONCTIONNEL
(JA) 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子
要約:
(EN) When the upper surface 13a of this group 13 element nitride crystal layer 13 is observed using cathode luminescence, there is a linear high luminance light-emitting portion 5 and a low luminance light-emitting region 6 adjoining the low luminance light-emitting portion 5. The half-width of (0002) plane reflection of the X-ray rocking curve on the upper surface 13a falls within the range of 20 seconds to 3000 seconds, and the arithmetic mean roughness Ra of the upper surface 13a falls within the range of 0.05 nm to 1.0 nm, inclusive.
(FR) Lorsque la surface supérieure 13a de cette couche de cristal de nitrure 13 d'élément du groupe 13 est observée à l'aide d'une luminescence de cathode, il existe une partie d'émission de lumière à luminance élevée linéaire 5 et une région d'émission de lumière à faible luminance 6 adjacente à la partie d'émission de lumière à faible luminance 5. La réflexion dans le plan (0002) de la demi-largeur de la courbe de balancement des rayons X sur la surface supérieure 13a se situe dans la plage de 20 secondes à 3000 secondes, et la rugosité moyenne arithmétique Ra de la surface supérieure 13a se situe dans la plage de 0,05 nm à 1,0 nm inclus.
(JA) 13族元素窒化物結晶層13の上面13aをカソードルミネッセンスによって観測したときに、線状の高輝度発光部5と、高輝度発光部5に隣接する低輝度発光領域6とを有する。上面13aにおけるX線ロッキングカーブの(0002)面反射の半値幅が3000秒以下、20秒以上であり、上面13aの算術平均粗さRaが0.05nm以上、1.0nm以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)