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1. (WO2019039103) タングステン化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/039103 国際出願番号: PCT/JP2018/025392
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 04.07.2018
IPC:
C07F 17/00 (2006.01) ,C07F 11/00 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
C 化学;冶金
07
有機化学
F
炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
17
メタロセン
C 化学;冶金
07
有機化学
F
炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
11
周期律表の第6族の元素を含有する化合物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40
酸化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
出願人:
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久七丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
発明者:
齋藤 昭夫 SAITO, Akio; JP
白鳥 翼 SHIRATORI, Tsubasa; JP
青木 雄太郎 AOKI, Yutaro; JP
代理人:
曾我 道治 SOGA, Michiharu; JP
梶並 順 KAJINAMI, Jun; JP
大宅 一宏 OHYA, Kazuhiro; JP
優先権情報:
2017-15856521.08.2017JP
発明の名称: (EN) TUNGSTEN COMPOUND, RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
(FR) COMPOSÉ DE TUNGSTÈNE, MATIÈRE PREMIÈRE POUR LA FORMATION DE FILM MINCE ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE FILM MINCE
(JA) タングステン化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
要約:
(EN) The present invention provides a tungsten compound represented by general formula (1) (wherein X represents a halogen atom, R1-R5 each independently represent a hydrogen atom or a C1-C5 alkyl group, R6 represents a tert-butyl group or a tert-pentyl group, and R7 represents a C1-C5 alkyl group; however, R7 represents a C1-C3 or C5 alkyl group when R1-R5 are all hydrogen atoms and R6 is a tert-butyl group, and when R1-R5 are all methyl groups and R6 is a tert-butyl group.)
(FR) La présente invention concerne un composé de tungstène représenté par la formule générale (1) (dans laquelle X représente un atome d'halogène, R1-R5 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle en C1-C5, R6 représente un groupe tert-butyle ou un groupe tert-pentyle, et R7 représente un groupe alkyle en C1-C5 ; cependant, R7 représente un groupe alkyle en C1-C3 ou C5 lorsque R1-R5 représentent tous des atomes d'hydrogène et R6 représente un groupe tert-butyle, et lorsque R1-R5 représentent tous des groupes méthyle et R6 représente un groupe tert-butyle.)
(JA) 本発明は、下記一般式(1)で表されるタングステン化合物を提供することにある: (式中、Xは、ハロゲン原子を表し、R1~R5は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数1~5のアルキル基を表し、R6は、第三ブチル基又は第三ペンチル基を表し、R7は、炭素数原子数1~5のアルキル基を表す。ただし、R1~R5が全て水素原子であり、R6が第三ブチル基である場合、及びR1~R5が全てメチル基であり、R6が第三ブチル基である場合は、R7は、炭素原子数1~3又は5のアルキル基を表す。)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)