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1. (WO2019039071) 構造体、構造体の製造方法、積層体および半導体パッケージ
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国際公開番号: WO/2019/039071 国際出願番号: PCT/JP2018/024088
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 26.06.2018
IPC:
H01R 11/01 (2006.01) ,H01R 43/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
R
導電接続;互いに絶縁された多数の電気接続要素の構造的な集合体;嵌合装置;集電装置
11
互いに接続される導電部材用の,間隔をあけた2つ以上の接続箇所を有する個々の接続部材(例,電線またはケーブルによって支持され,かつ,他の電線,端子,導電部材への電気接続を容易にするための手段を備えた,電線またはケーブルのための端子片,締付け端子柱ブロック)
01
接続位置間の導電相互接続の形状または配列に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
R
導電接続;互いに絶縁された多数の電気接続要素の構造的な集合体;嵌合装置;集電装置
43
電線接続器または集電装置の製造,組立,保守または修理のためまたは導体接続のために特に採用される装置または方法
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
山下 広祐 YAMASHITA Kosuke; JP
代理人:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
優先権情報:
2017-16224925.08.2017JP
発明の名称: (EN) STRUCTURE, STRUCTURE MANUFACTURING METHOD, LAMINATE, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE
(FR) STRUCTURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE, STRATIFIÉ ET BOÎTIER SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 構造体、構造体の製造方法、積層体および半導体パッケージ
要約:
(EN) Provided are: a structure that can be joined to another member without causing short-circuiting and has excellent electric conduction when joined to another member; a method for manufacturing said structure; a laminate; and a semiconductor package. The structure has: a plurality of through holes that are provided to an insulation base and penetrate the insulation base in the thickness direction; conductive paths that are composed of a conductive substance filled in the plurality of through holes; and insulation bodies that are filled in the plurality of through holes and are composed of an insulation substance different from that of the insulation base. Both ends of the respective conductive paths are provided with protrusions that protrude from the surfaces in the thickness direction of the insulation base. Each of the ends of the insulation bodies is flush with one of the surfaces in the thickness direction of the insulation base, is protruded with respect to the surface in the thickness direction, or is recessed with respect to the surface in the thickness direction. For the insulation bodies that are protruded, the protrusion length of the insulation bodies is not more than 30% of the protrusion length of the respective protrusions of the conductive paths. For the insulation bodies that are recessed, the recess length of the insulation bodies is not more than 10% of the thickness of the insulation base in the thickness direction.
(FR) L'invention concerne une structure qui peut être assemblée à un autre élément sans provoquer de court-circuit, et présente une excellente conduction électrique lorsqu'elle est assemblée à un autre élément ; un procédé de fabrication de ladite structure ; un stratifié ; et un boîtier de semi-conducteur. La structure comprend : une pluralité de trous traversants ménagés dans une base isolante et qui pénètrent dans la base isolante dans le sens de l'épaisseur ; des chemins conducteurs, qui sont faits d'une substance conductrice remplissant la pluralité des trous traversants ; et des corps isolants qui introduits dans la pluralité des trous traversants et sont faits d'une substance isolante différente de celle de la base isolante. Les deux extrémités des trajets conducteurs respectifs comportent des saillies qui font saillie à partir des surfaces dans le sens de l'épaisseur de la base isolante. Chaque extrémité des corps isolants est au même niveau qu'une des surfaces dans le sens de l'épaisseur de la base isolante, fait saillie par rapport à la surface dans le sens de l'épaisseur ou est en retrait par rapport à la surface dans le sens de l'épaisseur. Pour les corps isolants qui font saillie, leur longueur de saillie ne dépasse pas 30 % de la longueur de saillie des saillies respectives des trajets conducteurs. Pour les corps isolants qui sont en retrait, leur longueur de renfoncement ne dépasse pas 10 % de l'épaisseur de la base isolante dans le sens de l'épaisseur.
(JA) ショートすることなく他の部材と接合することができ、かつ他の部材と接合した際、電気的な導通に優れる構造体、構造体の製造方法、積層体および半導体パッケージを提供する。構造体は、絶縁性基材に設けられ、絶縁性基材の厚み方向に貫通した複数の貫通孔と、複数の貫通孔に充填された導電性物質で構成された導通路と、複数の貫通孔に充填され、絶縁性基材とは異なる絶縁性物質で構成された絶縁性体とを有する。導通路は両端が絶縁性基材の厚み方向の各面から突出した突出部を備え、絶縁性体は両端が絶縁性基材の厚み方向の各面に対して同一面上にあるか、厚み方向の面に対して突出しているか、または厚み方向の面よりも凹んでいる。絶縁性体が突出している場合、絶縁性体の突出長さは導通路の突出部の突出長さの30%以下であり、絶縁性体が凹んでいる場合、絶縁性体の凹み長さは絶縁性基材の厚み方向の厚さの10%以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)