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1. (WO2019039064) 半導体電力変換回路、並びにそれを用いた半導体装置及びモータ駆動装置
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国際公開番号: WO/2019/039064 国際出願番号: PCT/JP2018/023395
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 20.06.2018
IPC:
H02M 1/08 (2006.01)
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1
変換装置の細部
08
静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
出願人:
株式会社 日立パワーデバイス HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. [JP/JP]; 茨城県日立市大みか町五丁目2番2号 2-2, Omika-cho 5-chome, Hitachi-shi, Ibaraki 3191221, JP
発明者:
原 賢志 HARA Kenji; JP
代理人:
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
優先権情報:
2017-15899422.08.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR POWER CONVERSION CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND MOTOR DRIVE DEVICE USING SAME
(FR) CIRCUIT DE CONVERSION DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AINSI QUE DISPOSITIF DE PILOTAGE DE MOTEUR L'UTILISANT
(JA) 半導体電力変換回路、並びにそれを用いた半導体装置及びモータ駆動装置
要約:
(EN) The present invention reduces reverse recovery loss of a semiconductor power conversion circuit which uses a MOSFET. A semiconductor power conversion circuit according to the present invention is configured such that: a first MOSFET 1m and a second MOSFET 2m are antiparallel-connected to a first diode 1d and a second diode 2d, respectively; the drain terminal of the first MOSFET 1m is connected to the first electrode side of a direct-current voltage source 4; the source terminal of the second MOSFET 2m is connected to the second electrode side of the direct-current voltage source 4; and the source terminal of the first MOSFET 1m and the drain terminal of the second MOSFET 2m are connected in common to a load inductor 5. The semiconductor power conversion circuit is provided with a gate drive mechanism 3 that, when the second MOSFET 2m which is connected in series with the first MOSFET 1m being in a reflux operation is to be switched from an OFF state to an ON state, performs gate driving by applying, to the gate electrode of the first MOSFET 1m, a voltage less than or equal to the maximum voltage applied to the gate electrode of the second MOSFET 2m, prior to a point in time at which a gate voltage at the second MOSFET 2m starts rising from a voltage in the OFF state.
(FR) La présente invention réduit la perte de recouvrement inverse d'un circuit de conversion de puissance à semi-conducteur qui fait appel à un MOSFET. Un circuit de conversion de puissance à semi-conducteur selon la présente invention est configuré de sorte que : un premier MOSFET 1m et un second MOSFET 2m soient respectivement connectés de manière antiparallèle à une première diode 1d et à une seconde diode 2d ; la borne de drain du premier MOSFET 1m soit connectée au premier côté d'électrode d'une source de tension continue 4 ; la borne de source du second MOSFET 2m soit connectée au second côté d'électrode de la source de tension continue 4 ; et la borne de source du premier MOSFET 1m et la borne de drain du second MOSFET 2m soient connectées en commun à une bobine d'inductance de charge 5. Le circuit de conversion de puissance à semi-conducteur est pourvu d'un mécanisme d'attaque de grille 3 qui, lorsque le second MOSFET 2m qui est connecté en série avec le premier MOSFET 1m se trouvant dans un état de reflux doit être commuté d'un état bloqué (OFF) à un état conducteur (ON), effectue une attaque de grille par une application, à l'électrode de grille du premier MOSFET 1m, d'une tension inférieure ou égale à la tension maximale appliquée à l'électrode de grille du second MOSFET 2m, avant un instant auquel une tension de grille au niveau du second MOSFET 2m commence à s'élever à partir d'une tension correspondant à l'état bloqué.
(JA) MOSFETを用いた半導体電力変換回路の逆回復損失の低減を図る。本発明の半導体電力変換回路は、第1・第2 MOSFET 1m・2mがそれぞれ第1・第2ダイオード 1d・2dと互いに逆並列接続され、第1 MOSFET 1mのドレイン端子が直流電圧源4の第1電極側と、第2 MOSFET 2mのソース端子が直流電圧源4の第2電極側と、それぞれ接続され、第1 MOSFET 1mのソース端子と第2 MOSFET 2mのドレイン端子とが負荷インダクタ5と共通接続され、還流動作中の第1 MOSFET 1mに直列に接続された第2 MOSFET 2mをオフ状態からオン状態に切り替えようとする状態にある場合に、第2 MOSFET 2mのゲート電極に印加される最大電圧以下の電圧を、第2 MOSFET 2mのゲート電圧がオフ状態の電圧から上昇を開始する時刻より前に、第1 MOSFET 1mのゲート電極に印加するゲート駆動を行うゲート駆動機構3を備えて構成される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)