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1. (WO2019039029) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
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国際公開番号: WO/2019/039029 国際出願番号: PCT/JP2018/020743
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 30.05.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/3745 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
3745
1つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
佐藤 友亮 SATO Yusuke; JP
古閑 史彦 KOGA Fumihiko; JP
代理人:
山本 孝久 YAMAMOTO Takahisa; JP
吉井 正明 YOSHII Masaaki; JP
優先権情報:
2017-16254125.08.2017JP
発明の名称: (EN) IMAGING ELEMENT, LAYERED-TYPE IMAGING ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE STRATIFIÉ ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
要約:
(EN) This imaging element is equipped with a photoelectric conversion section comprising a first electrode 21, a photoelectric conversion layer, and a second electrode which constitute a stack. The photoelectric conversion section further comprises a charge accumulating electrode 24 having a facing region 24a facing the first electrode 21 through an insulation layer 82, and a transfer control electrode 25 facing the first electrode 21 and the charge accumulating electrode 24 through the insulation layer 82. The photoelectric conversion layer is disposed at least above the charge accumulating electrode 24, through the insulation layer 82.
(FR) La présente invention concerne un élément d'imagerie pourvu d'une section de conversion photoélectrique comprenant une première électrode (21), une couche de conversion photoélectrique et une seconde électrode qui forment un empilement. La section de conversion photoélectrique comprend en outre une électrode d'accumulation de charge (24) présentant une zone en regard (24a) faisant face à la première électrode (21) à travers une couche d'isolation (82), et une électrode de commande de transfert (25) faisant face à la première électrode (21) et à l'électrode d'accumulation de charge (24) à travers la couche d'isolation (82). La couche de conversion photoélectrique est disposée au moins sur l'électrode d'accumulation de charge (24), à travers la couche d'isolation (82).
(JA) 撮像素子は、第1電極21、光電変換層及び第2電極が積層されて成る光電変換部を備えており、光電変換部は、更に、絶縁層82を介して第1電極21と対向する対向領域24aを有する電荷蓄積用電極24、並びに、絶縁層82を介して第1電極21及び電荷蓄積用電極24と対向する転送制御用電極25を備えており、光電変換層は、絶縁層82を介して少なくとも電荷蓄積用電極24の上方に配置されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)