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1. (WO2019038999) 固体撮像装置およびその製造方法
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国際公開番号: WO/2019/038999 国際出願番号: PCT/JP2018/017739
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 08.05.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,G02B 5/30 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
5
レンズ以外の光学要素
30
偏光要素
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
山田 恭輔 YAMADA, Kyosuke; JP
代理人:
丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu; JP
優先権情報:
2017-16070424.08.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 固体撮像装置およびその製造方法
要約:
(EN) The objective of the invention is to reduce reflected light in a solid-state imaging device equipped with a polarization element without influencing the properties of the polarization element. The solid-state imaging device has a plurality of pixels. Each of the plurality of pixels has a photoelectric conversion element performing photoelectric conversion, and a polarization element provided on the light inlet side of the photoelectric conversion element. In addition, the solid-state imaging device has a photo-absorption layer. The photo-absorption layer is formed in inter-pixel regions among the plurality of pixels, to a higher position than the height of the polarization element in the pixels. Accordingly, the photo-absorption layer absorbs reflected light generated in the polarization element.
(FR) L'objectif de l'invention est de réduire la lumière réfléchie dans un dispositif d'imagerie à semi-conducteur équipé d'un élément de polarisation sans influencer les propriétés de l'élément de polarisation. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteur comporte une pluralité de pixels. Chacun de la pluralité de pixels comporte un élément de conversion photoélectrique effectuant une conversion photoélectrique, et un élément de polarisation disposé sur le côté d'entrée de lumière de l'élément de conversion photoélectrique. De plus, le dispositif d'imagerie à semi-conducteur a une couche de photo-absorption. La couche de photo-absorption est formée dans des régions inter-pixels parmi la pluralité de pixels, à une position supérieure à la hauteur de l'élément de polarisation dans les pixels. En conséquence, la couche de photo-absorption absorbe la lumière réfléchie générée dans l'élément de polarisation.
(JA) 偏光素子を備える固体撮像装置において、偏光素子の特性に影響を与えることなく反射光を抑制する。 固体撮像装置は、複数の画素を備える。これら複数の画素は、光電変換を行う光電変換素子と、その光電変換素子の光入射側に設けられた偏光素子とを備える。また、固体撮像装置は、光吸収層を備える。この光吸収層は、複数の画素の画素間領域において、画素の偏光素子の高さよりも高い位置まで形成される。これにより、偏光素子において発生した反射光を光吸収層が吸収する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)