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1. (WO2019038996) 炭化珪素エピタキシャル基板
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国際公開番号: WO/2019/038996 国際出願番号: PCT/JP2018/017038
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 26.04.2018
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,H01L 29/161 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
16
ドーピング材料または他の不純物は別にして,非結合型周期律表の第IV族元素のみを含むもの
161
29/16に分類されている元素のうち2つ以上を含むもの
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33 Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
堀 勉 HORI, Tsutomu; JP
宮瀬 貴也 MIYASE, Takaya; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
2017-16124924.08.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板
要約:
(EN) This silicon carbide epitaxial substrate comprises: a silicon carbide single crystal substrate of polytype 4H having a major surface inclined at angle θ toward a <11-20> orientation from a {0001} plane; and a silicon carbide epitaxial layer provided on the major surface and having a basal plane dislocation, wherein the basal plane dislocation does not move even when irradiated with an ultraviolet ray having a power of 270 mW and a wavelength of 313 nm for 10 seconds.
(FR) Ce substrat épitaxial de carbure de silicium comprend : un substrat monocristallin de carbure de silicium de polytype 4H présentant une surface principale inclinée selon un angle θ vers une orientation a < 11-20> à partir d'un plan {1\} ; et une couche épitaxiale de carbure de silicium disposée sur la surface principale et présentant une dislocation de plan basal, la dislocation de plan basal ne se déplaçant pas même lorsqu'elle est irradiée par un rayon ultraviolet ayant une puissance de 270 mW et une longueur d'onde de 313 nm pendant 10 secondes.
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板は、ポリタイプが4Hであり、{0001}面から<11-20>方位に角度θ傾斜した主面を有する炭化珪素単結晶基板と、主面の上に設けられ、基底面転位を有する炭化珪素エピタキシャル層と、を備え、基底面転位に、パワーが270mW、波長が313nmの紫外線を10秒間照射しても、基底面転位が移動しない。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)