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1. (WO2019038974) 基板処理装置、反応管、基板処理方法、および、半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/038974 国際出願番号: PCT/JP2018/011730
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 23.03.2018
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
岡嶋 優作 OKAJIMA, Yusaku; JP
佐々木 隆史 SASAKI, Takafumi; JP
吉田 秀成 YOSHIDA, Hidenari; JP
三村 英俊 MIMURA, Hidetoshi; JP
石坂 光範 ISHISAKA, Mitsunori; JP
西堂 周平 SAIDO, Shuhei; JP
優先権情報:
2017-16203525.08.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, REACTION TUBE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, TUBE DE RÉACTION, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置、反応管、基板処理方法、および、半導体装置の製造方法
要約:
(EN) This invention makes it possible to equalize speed distribution of processing gas among substrates. This substrate processing device is equipped with a reaction tube having cylindrical outer and inner tubes with a closed upper end. The inner tube has a first gas exhaust port provided parallel to the central axis of the inner tube, and the outer tube has an exhaust outlet. The first gas exhaust port comprises: a first width section provided at the farthest position from the exhaust outlet; a second width section provided at a position closer to the exhaust outlet compared to the first width section and formed so that, substantially, the width thereof is equal to or narrower than the width of the first width section; and a third width section having a narrower width than the first width section and the second width section on the second width section side between the first width section and the second width section.
(FR) La présente invention permet d'égaliser la distribution de vitesse de gaz de traitement entre des substrats. Le présent dispositif de traitement de substrat est équipé d'un tube de réaction comportant des tubes externe et interne cylindriques dotés d'une extrémité supérieure fermée. Le tube interne comporte un premier orifice d'échappement de gaz disposé parallèlement à l'axe central du tube interne, et le tube externe comporte une sortie d'échappement. Le premier orifice d'échappement de gaz comprend : une section de première largeur disposée au niveau de la position la plus éloignée de la sortie d'échappement ; une section de deuxième largeur disposée à une position plus proche de la sortie d'échappement par rapport à la section de première largeur et formée de sorte que sa largeur soit sensiblement égale ou inférieure à la largeur de la section de première largeur ; et une section de troisième largeur ayant une largeur plus étroite que la section de première largeur et que la section de deuxième largeur du côté section de deuxième largeur entre la section de première largeur et la section de deuxième largeur.
(JA) 基板間の処理ガスの速度分布を均一とすることが可能な技術が開示される。基板処理装置は、上端が閉塞された筒状の内管と外管とを有する反応管を備える。前記内管は前記内管の中心軸に平行に設けられた第1ガス排気口を有し、前記外管は排気出口を有する。前記第1ガス排気口は、前記排気出口から相対的に最も遠い位置に設けられた第1の幅部と、前記第1の幅部に比べて前記排気出口に近い位置に設けられ、実質的に前記第1の幅部の幅以下で形成された第2の幅部と、前記第1の幅部と第2の幅部との間であって、前記第2の幅部側に、前記第1の幅部と前記第2の幅部よりも小さい幅を有する第3の幅部と、を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)