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1. (WO2019038953) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/038953 国際出願番号: PCT/JP2018/005457
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 16.02.2018
IPC:
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01) ,H01L 21/68 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677
移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
68
位置決め,方向決め,または整列のためのもの
出願人:
株式会社日本製鋼所 THE JAPAN STEEL WORKS, LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032, JP
発明者:
鈴木 祐輝 SUZUKI Yuki; JP
藤 貴洋 FUJI Takahiro; JP
三上 貴弘 MIKAMI Takahiro; JP
山口 芳広 YAMAGUCHI Yoshihiro; JP
清水 良 SHIMIZU Ryo; JP
代理人:
家入 健 IEIRI Takeshi; JP
優先権情報:
2017-16211525.08.2017JP
発明の名称: (EN) LASER IMPINGEMENT DEVICE, LASER IMPINGEMENT METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF D'IMPACT LASER, PROCÉDÉ D'IMPACT LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
要約:
(EN) A laser impingement device (1) according to an embodiment of the present invention comprises a laser generator (14) for generating laser light and a flotation unit (10) for causing flotation of a processed object (16) on which laser light impinges. The flotation unit (10) comprises a first region and a second region. The first region and the second region are disposed in such a manner that, in a planar view, the laser light focal point overlaps with the first region and the laser light focal point does not overlap with the second region. The surface section of the second region is formed from a metallic member.
(FR) Un dispositif d'impact laser (1) selon un mode de réalisation de la présente invention comprend un générateur laser (14) pour générer une lumière laser et une unité de flottement (10) pour provoquer le flottement d'un objet traité (16) que la lumière laser heurte. L'unité de flottement (10) comprend une première région et une deuxième région. La première région et la seconde région sont disposées de telle sorte que, dans une vue en plan, le point focal de lumière laser chevauche la première région et que le point focal de lumière laser ne chevauche pas la seconde région. La section de surface de la seconde région est faite d'un élément métallique.
(JA) 一実施の形態にかかるレーザ照射装置(1)は、レーザ光を発生させるレーザ発生装置(14)と、レーザ光が照射される被処理体(16)を浮上させる浮上ユニット(10)と、を備えている。浮上ユニット(10)は、第1の領域と第2の領域とを備え、第1の領域および第2の領域は、平面視した際にレーザ光の焦点と第1の領域とが重畳し、レーザ光の焦点と第2の領域とが重畳しないように配置されている。第2の領域の表面部は、金属部材で形成されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)