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1. (WO2019038917) 較正用試料、それを用いた電子ビーム調整方法及び電子ビーム装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/038917 国際出願番号: PCT/JP2017/030563
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 25.08.2017
IPC:
G01B 15/00 (2006.01) ,H01J 37/04 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
B
長さ,厚さまたは同種の直線寸法の測定;角度の測定;面積の測定;表面または輪郭の不規則性の測定
15
波動性または粒子性放射線の使用によって特徴づけられた測定装置
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
04
電極装置および放電を発生しまたは制御するための関連部品,例.電子光学装置,イオン光学装置
出願人:
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
発明者:
早田 康成 SOHDA Yasunari; JP
中山 義則 NAKAYAMA Yoshinori; JP
備前 香織 BIZEN Kaori; JP
太田 洋也 OHTA Hiroya; JP
安部 悠介 ABE Yusuke; JP
代理人:
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) CORRECTION SAMPLE, AND ELECTRON BEAM ADJUSTMENT METHOD AND ELECTRON BEAM DEVICE USING SAME
(FR) ÉCHANTILLON DE CORRECTION, ET PROCÉDÉ DE RÉGLAGE DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS ET DISPOSITIF À FAISCEAU D'ÉLECTRONS L'UTILISANT
(JA) 較正用試料、それを用いた電子ビーム調整方法及び電子ビーム装置
要約:
(EN) In order to achieve a correction sample and an electron beam adjustment method and an electron beam device using the correction sample, with which a high-precision measurement of an incident angle can be performed, this correction sample is used to perform an adjustment of an electron beam, the correction sample having: a silicon single crystal substrate 201 having an upper plane, which is an {110} plane; a first recess structure 202 which is open toward the upper plane and extends in a first direction; and a second recess structure 203 which is open toward the upper plane and extends in a second direction crossing the first direction, wherein: each of the first recess structure and the second recess structure has a first side plane and a first bottom plane crossing the first side plane, and a second side plane and a second bottom plane crossing the second side plane; the first side plane and the second side plane are {111} planes; and the first bottom plane and the second bottom plane are crystal planes other than {110} plane.
(FR) L'invention concerne un échantillon de correction et un procédé de réglage de faisceau d'électrons et un dispositif à faisceau d'électrons utilisant l'échantillon de correction, avec lequel une mesure de haute précision d'un angle incident peut être effectuée, cet échantillon de correction étant utilisé pour effectuer un ajustement d'un faisceau d'électrons, l'échantillon de correction comprenant : un substrat monocristallin de silicium 201 comprenant un plan supérieur, qui est un plan {110} ; une première structure d'évidement 202 qui est ouverte vers le plan supérieur et s'étend dans une première direction ; et une seconde structure d'évidement 203 qui est ouverte vers le plan supérieur et s'étend dans une seconde direction croisant la première direction : chacune parmi la première structure d'évidement et la seconde structure d'évidement comprend un premier plan latéral et un premier plan inférieur croisant le premier plan latéral, et un second plan latéral et un second plan inférieur croisant le second plan latéral ; le premier plan latéral et le second plan latéral sont des plans {111} ; et le premier plan inférieur et le second plan inférieur sont des plans cristallins autre qu'un plan {110}.
(JA) 入射角の高精度計測が可能な較正用試料、それを用いた電子ビーム調整方法及び電子ビーム装置を実現する。上面を{110}面とするシリコン単結晶基板201と、上面に開口し、第1の方向に延在する第1の凹構造202と、上面に開口し、第1の方向と交差する第2の方向に延在する第2の凹構造203とを有し、第1の凹構造及び第2の凹構造は、それぞれ第1の側面及び第1の側面と交わる第1の底面と第2の側面及び第2の側面と交わる第2の底面とを有し、第1の側面及び第2の側面は{111}面であり、第1の底面及び第2の底面は{110}面とは異なる結晶面である較正用試料を用いて電子ビームの調整を行う。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)