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1. (WO2019038906) パワー半導体装置およびパワー半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/038906 国際出願番号: PCT/JP2017/030495
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 25.08.2017
IPC:
H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
31
配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
佐々木 太志 SASAKI Taishi; JP
吉岡 佑毅 YOSHIOKA Yuki; JP
原田 啓行 HARADA Hiroyuki; JP
梶 勇輔 KAJI Yusuke; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) パワー半導体装置およびパワー半導体装置の製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to suppress a crack of a sealing resin in a power semiconductor device, and to suppress warping of the semiconductor device. This power semiconductor device is provided with: semiconductor elements (4, 6); a terminal (9) bonded to the upper surfaces of the semiconductor elements (4, 6); a housing (14) that houses the semiconductor elements (4, 6) and the terminal (9); and a sealing resin that seals, in the housing (14), the semiconductor elements (4, 6) and the terminal (9). The sealing resin has: a first sealing resin (21) that covers at least the semiconductor elements (4, 6); and a second sealing resin (22) formed above the first sealing resin (21). At an operating temperature of the semiconductor elements (4, 6), the first sealing resin (21) has a linear expansion coefficient that is smaller than that of the second sealing resin (22), and a difference between the linear expansion coefficient of the first sealing resin (21) and that of the terminal (9) is smaller than a difference between the linear expansion coefficient of the second sealing resin (22) and that of the terminal (9).
(FR) L'objet de la présente invention est de supprimer une fissure d'une résine d'étanchéité dans un dispositif à semi-conducteurs de puissance, et de supprimer un gauchissement du dispositif à semi-conducteurs. Ledit dispositif à semi-conducteurs de puissance est pourvu : d'éléments semi-conducteurs (4, 6) ; d'une borne (9) liée aux surfaces supérieures des éléments semi-conducteurs (4, 6) ; d'un boîtier (14) qui loge les éléments semi-conducteurs (4, 6) et la borne (9) ; et d'une résine d'étanchéité qui isole, dans le boîtier (14), les éléments semi-conducteurs (4, 6) et la borne (9). La résine d'étanchéité comprend : une première résine d'étanchéité (21) qui recouvre au moins les éléments semi-conducteurs (4, 6) ; et une seconde résine d'étanchéité (22) formée au-dessus de la première résine d'étanchéité (21). À une température de fonctionnement des éléments semi-conducteurs (4, 6), la première résine d'étanchéité (21) a un coefficient de dilatation linéaire plus petit que celui de la seconde résine d'étanchéité (22), et une différence entre le coefficient de dilatation linéaire de la première résine d'étanchéité (21) et celui de la borne (9) est inférieure à une différence entre le coefficient de dilatation linéaire de la seconde résine d'étanchéité (22) et celui de la borne (9).
(JA) 本発明は、パワー半導体装置において封止樹脂のクラック抑制と半導体装置の反り抑制とを目的とする。本発明のパワー半導体装置は、半導体素子(4,6)と、前記半導体素子(4,6)の上面に接合された端子(9)と、半導体素子(4,6)および端子(9)を収納する筐体(14)と、筐体(14)内で半導体素子(4,6)および端子(9)を封止する封止樹脂と、を備え、封止樹脂は、少なくとも半導体素子(4,6)を覆う第1の封止樹脂(21)と、第1の封止樹脂(21)の上方に形成された第2の封止樹脂(22)と、を有し、半導体素子(4,6)の動作温度において、第1の封止樹脂(21)は第2の封止樹脂(22)よりも線膨張係数が小さく、第1の封止樹脂(21)と端子(9)との線膨張係数の差は、第2の封止樹脂(22)と端子(9)との線膨張係数の差よりも小さい。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)