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1. (WO2019038892) 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/038892 国際出願番号: PCT/JP2017/030373
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 24.08.2017
IPC:
H01L 33/16 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
16
特定の結晶構造や結晶方位を有するもの,例.多結晶,アモルファス,ポーラス
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
出願人:
日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP
発明者:
平尾 崇行 HIRAO Takayuki; JP
中西 宏和 NAKANISHI Hirokazu; JP
市村 幹也 ICHIMURA Mikiya; JP
下平 孝直 SHIMODAIRA Takanao; JP
坂井 正宏 SAKAI Masahiro; JP
吉野 隆史 YOSHINO Takashi; JP
代理人:
細田 益稔 HOSODA Masutoshi; JP
青木 純雄 AOKI Sumio; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) GROUP 13 ELEMENT NITRIDE LAYER, FREESTANDING SUBSTRATE AND FUNCTIONAL ELEMENT
(FR) COUCHE DE NITRURE D'ÉLÉMENTS DU GROUPE 13, SUBSTRAT AUTONOME ET ÉLÉMENT FONCTIONNEL
(JA) 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子
要約:
(EN) [Problem] To provide a group 13 element nitride crystal layer comprising group 13 element nitride crystals selected from gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride or mixed crystals thereof, and having an upper surface and a bottom surface, and a microstructure with which it is possible to reduce dislocation density and reduce variation in characteristics over the entirety of the layer. [Solution] When the upper surface 13a of the group 13 element nitride crystal layer 13 is observed by cathode luminescence, there is a linear high luminance light-emitting portion 5 and a low luminance light-emitting region 6 adjoining the high luminance light-emitting portion 5. The half-width of the (0002) plane reflection of the X-ray rocking curve on the upper surface 13a is between 20 and 3000 seconds, inclusive.
(FR) La présente invention concerne une couche de cristal de nitrure d'éléments du groupe 13 comprenant des cristaux de nitrure d'éléments du groupe 13 choisis parmi le nitrure de gallium, le nitrure d'aluminium, le nitrure d'indium ou des cristaux mixtes de ceux-ci, et ayant une surface supérieure et une surface inférieure, et une microstructure grâce à laquelle il est possible de réduire la densité de dislocation et de réduire la variation des caractéristiques sur la totalité de la couche. Lorsque la surface supérieure (13a) de la couche de cristal de nitrure (13) d'éléments du groupe 13 est observée par luminescence cathodique, elle présente une partie linéaire d'émission de lumière à luminance élevée (5) et une région d'émission de lumière à faible luminance (6) adjacente à la partie d'émission de lumière à luminance élevée (5). La demi-largeur de la réflexion dans le plan (0002) de la courbe de balancement des rayons X sur la surface supérieure (13a) va de 20 à 3 000 secondes, incluses.
(JA) 【課題】窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムまたはこれらの混晶から選択された13族元素窒化物結晶からなり、上面及び底面を有する13族元素窒化物結晶層において、転位密度を低くでき、全体にわたって特性のばらつきを少なくできるような微構造を提供する。 【解決手段】13族元素窒化物結晶層13の上面13aをカソードルミネッセンスによって観測したときに、線状の高輝度発光部5と、高輝度発光部5に隣接する低輝度発光領域6とを有する。上面13aにおけるX線ロッキングカーブの(0002)面反射の半値幅が3000秒以下、20秒以上であることを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)