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1. (WO2019038877) 窒化物半導体紫外線発光素子の製造方法及び窒化物半導体紫外線発光素子
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国際公開番号: WO/2019/038877 国際出願番号: PCT/JP2017/030282
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 24.08.2017
IPC:
H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
20
特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
出願人:
創光科学株式会社 SOKO KAGAKU CO., LTD. [JP/JP]; 石川県白山市旭丘一丁目5番1号 1-5-1, Asahigaoka, Hakusan-shi, Ishikawa 9240004, JP
発明者:
平野 光 HIRANO, Akira; JP
長澤 陽祐 NAGASAWA, Yosuke; JP
代理人:
政木 良文 MASAKI, Yoshifumi; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING ELEMENT, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ULTRAVIOLET À SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE, ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ULTRAVIOLET À SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE
(JA) 窒化物半導体紫外線発光素子の製造方法及び窒化物半導体紫外線発光素子
要約:
(EN) A nitride semiconductor ultraviolet light emitting element 1 is provided with: a sapphire substrate 10; and an element structure section 20 formed on a main surface 101 of the substrate 10. In the substrate 10, in a first portion 110 extending to a first distance from the main surface 101, the area of a cross-section parallel to the main surface 101 continuously increases toward the side far from the main surface 101, and in a second portion 120 extending to a second distance from the side reverse to the main surface 101, the area of a cross-section parallel to the main surface 101 continuously increases toward the side far from the side reverse to the main surface 101. The sum of the first distance and the second distance is equal to the thickness of the substrate 10 or less.
(FR) Un élément électroluminescent ultraviolet à semi-conducteur au nitrure 1 est pourvu : d'un substrat de saphir 10 ; et d'une section de structure d'élément 20 formée sur une surface principale 101 du substrat 10. Dans le substrat 10, dans une première partie 110 s'étendant jusqu'à une première distance de la surface principale 101, la zone d'une section transversale parallèle à la surface principale101 augmente en continu vers le côté éloigné de la surface principale 101, et dans une seconde partie 120 s'étendant jusqu'à une seconde distance du côté opposé à la surface principale 101, la zone d'une section transversale parallèle à la surface principale 101 augmente en continu vers le côté éloigné du côté opposé à la surface principale 101. La somme de la première distance et de la seconde distance est inférieure ou égale à l'épaisseur du substrat 10.
(JA) 窒化物半導体紫外線発光素子1は、サファイア基板10と、基板10の主面101上に形成される素子構造部20とを備える。基板10は、主面101から第1距離までの第1部分110において、主面101と平行な断面の断面積が、主面101から離れるにつれて連続的に増加し、主面101の反対側から第2距離までの第2部分120において、主面101と平行な断面の断面積が、主面101の反対側から離れるにつれて連続的に増加する。第1距離及び前記第2距離の和は、基板10の厚さ以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)