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1. (WO2019038857) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/038857 国際出願番号: PCT/JP2017/030127
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 23.08.2017
IPC:
H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
坂本 健 SAKAMOTO, Ken; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約:
(EN) This method comprises: disposing a heat sink (4) to the interior of a cavity (5) in a molding die (1), the planar shape of the heat sink being rectangular and the bottom surface of same having a step at its corner sections, and causing first pins (2) to protrude from the bottom surface of the cavity (5), thereby positioning the heat sink (4); attaching second pins (3) protruding from the bottom surface of the cavity (5) to the step in the positioned heat sink (4); and, after the heat sink (4) has been positioned, lowering the first pins (2) to the bottom surface of the cavity (5), and sealing the heat sink (4) with a molding resin (10) with the second pins (3) protruding from the bottom surface.
(FR) La présente invention concerne un procédé consistant : à placer un dissipateur thermique (4) à l'intérieur d'une cavité (5) dans une matrice de moulage (1), la forme plane du dissipateur thermique étant rectangulaire et sa surface inférieure présentant un étage au niveau de ses sections d'angle, et à amener des premières broches (2) à faire saillie à partir de la surface inférieure de la cavité (5), ce qui permet de positionner le dissipateur thermique (4) ; à fixer des secondes broches (3) faisant saillie à partir de la surface inférieure de la cavité (5) à l'étage dans le dissipateur thermique positionné (4) ; et, après avoir positionné le dissipateur thermique (4), à abaisser les premières broches (2) sur la surface inférieure de la cavité (5), et à sceller le dissipateur thermique (4) à l'aide d'une résine de moulage (10) avec les secondes broches (3) faisant saillie à partir de la surface inférieure.
(JA) 底面角部に段差を有する平面形状が矩形のヒートシンク(4)をモールド金型(1)のキャビティ(5)の内部に配置し、キャビティ(5)の底面から第1のピン(2)を突き出してヒートシンク(4)を位置決めする。キャビティ(5)の底面から突き出した第2のピン(3)を、位置決めしたヒートシンク(4)の段差に配置する。ヒートシンク(4)を位置決めした後に第1のピン(2)をキャビティ(5)の底面まで下降させ、第2のピン(3)を突き出したままヒートシンク(4)をモールド樹脂(10)で封止する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)