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1. (WO2019038841) 画像処理装置、方法、及び荷電粒子顕微鏡
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国際公開番号: WO/2019/038841 国際出願番号: PCT/JP2017/030057
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 23.08.2017
IPC:
H01J 37/22 (2006.01) ,G01B 15/00 (2006.01) ,G01B 15/04 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
22
管と関連した光学または写真装置
G 物理学
01
測定;試験
B
長さ,厚さまたは同種の直線寸法の測定;角度の測定;面積の測定;表面または輪郭の不規則性の測定
15
波動性または粒子性放射線の使用によって特徴づけられた測定装置
G 物理学
01
測定;試験
B
長さ,厚さまたは同種の直線寸法の測定;角度の測定;面積の測定;表面または輪郭の不規則性の測定
15
波動性または粒子性放射線の使用によって特徴づけられた測定装置
04
輪郭または曲率の測定用
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
出願人:
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
発明者:
大橋 健良 OHASHI Takeyoshi; JP
山口 敦子 YAMAGUCHI Atsuko; JP
井古田 まさみ IKOTA Masami; JP
蓮見 和久 HASUMI Kazuhisa; JP
代理人:
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) IMAGE PROCESSING DEVICE, METHOD, AND CHARGED PARTICLE MICROSCOPE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'IMAGE, PROCÉDÉ, ET MICROSCOPE À PARTICULES CHARGÉES
(JA) 画像処理装置、方法、及び荷電粒子顕微鏡
要約:
(EN) The present invention quantitatively evaluates a crystal growth amount by nondestructive inspection in a wide area from an undergrowth state to an overgrowth state. According the present invention, a plurality of image feature amounts are used which include a pattern luminance, a pattern area, a pattern shape, and the like that are extracted from a SEM image, a determination (402, 405) of the undergrowth or the overgrowth is performed according to whether (401) the luminance inside a pattern is lower than that outside the pattern, and a normality index or a growth amount index of the crystal growth is calculated in a concave shape pattern such as a hole pattern, a trench pattern or the like by a luminance difference or the pattern area.
(FR) La présente invention évalue quantitativement une quantité de croissance cristalline par inspection non destructive dans une large zone, d'un état de sous-croissance à un état de surcroissance. Selon la présente invention, une pluralité de quantités caractéristiques d'image sont utilisées qui comprennent une luminance de motif, une aire de motif, une forme de motif et analogues qui sont extraites d'une image MEB, une détermination (402, 405) de la sous-croissance ou de la surcroissance est effectuée selon que (401) la luminance à l'intérieur d'un motif est inférieure ou non à celle à l'extérieur du motif, et un indice de normalité ou un indice de quantité de croissance de la croissance cristalline est calculé dans un motif de forme concave tel qu'un motif de trou, un motif de tranchée ou analogue par une différence de luminance ou par l'aire de motif.
(JA) 非破壊検査により,不足成長状態から過剰成長状態にわたる幅広い領域で,結晶成長量を定量的に評価する。SEM画像から抽出したパタン輝度、パタン面積、パタン形状などの複数の画像特徴量を用いて、パタン内の輝度がパタン外の輝度より低いか否か(401)により、不足成長、過剰成長の判断(402、405)等を行い、輝度差あるいはパタン面積により、ホールパタンまたはトレンチパタンなどの凹形状パタンにおける結晶成長の成長量指標をあるいは正常度指標を算出する(404、407)。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)