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1. (WO2019038811) 蒸着装置、蒸着方法及び有機EL表示装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/038811 国際出願番号: PCT/JP2017/029814
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 21.08.2017
IPC:
C23C 14/50 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
50
基板保持具
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32
光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
10
エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
出願人:
堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumicho, Sakai-ku, Sakai-shi, Osaka 5908522, JP
発明者:
崎尾 進 SAKIO, Susumu; JP
岸本 克彦 KISHIMOTO, Katsuhiko; JP
代理人:
特許業務法人朝日奈特許事務所 ASAHINA & CO.; 大阪府大阪市中央区谷町二丁目2番22号 NSビル NS Building, 2-22, Tanimachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400012, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) VAPOR DEPOSITION APPARATUS, VAPOR DEPOSITION METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL DISPLAY DEVICE
(FR) APPAREIL DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR, PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) 蒸着装置、蒸着方法及び有機EL表示装置の製造方法
要約:
(EN) The vapor deposition apparatus disclosed in an embodiment comprises: a vacuum chamber (8); a mask holder (15), disposed in the vacuum chamber (8), for holding a vapor deposition mask 1; a substrate holder (29) for holding a substrate (2) to be subjected to vapor deposition so as to contact the held vapor deposition mask (1); an electromagnet (3) disposed above the substrate (2) being subjected to vapor deposition on the surface opposite that of the vapor deposition mask 1; a vapor deposition source 5 for gasifying or sublimating a vapor deposition material; and a heat pipe (7), at least the heat-absorbing part (71) of which contacts the electromagnet (3) and the heat-dissipating part (72) of which leads to the outside of the vacuum chamber (8). The heat pipe (7) and the electromagnet (3) are in close contact in a contact area equal to or greater than the cross-sectional area of the internal circumference of a coil (32). Temperature elevation of the electromagnet is suppressed and a vapor deposition pattern of good precision is obtained.
(FR) Selon un mode de réalisation, cette invention concerne un appareil de dépôt en phase vapeur, comprenant : une chambre à vide (8) ; un support de masque (15), disposé dans la chambre à vide (8), pour supporter un masque de dépôt en phase vapeur (1) ; un support de substrat (29) pour supporter un substrat (2) destiné à être soumis à un dépôt en phase vapeur de façon à entrer en contact avec le masque de dépôt en phase vapeur supporté (1) ; un électroaimant (3) disposé au-dessus du substrat (2) soumis à un dépôt en phase vapeur sur la surface opposée à celle du masque de dépôt en phase vapeur (1) ; une source de dépôt en phase vapeur (5) pour gazéifier ou sublimer un matériau de dépôt en phase vapeur ; et un caloduc (7), dont au moins la partie d'absorption de chaleur (71) est en contact avec l'électro-aimant (3) et la partie de dissipation de chaleur (72) pour mener vers l'extérieur de la chambre à vide (8). Le caloduc (7) et l'électroaimant (3) sont en contact étroit dans une zone de contact égale ou supérieure à la surface de section transversale de la circonférence interne d'une bobine (32). L'invention permet de supprimer l'élévation de température de l'électroaimant et d'obtenir un motif de dépôt en phase vapeur de bonne précision.
(JA) 実施形態により開示される蒸着装置は、真空チャンバー(8)と、その内部に配置される蒸着マスク1を保持するマスクホルダー(15)と、保持される蒸着マスク(1)と接するように被蒸着基板(2)を保持する基板ホルダー(29)と、被蒸着基板(2)の蒸着マスク1と反対面の上方に配置される電磁石(3)と、蒸着材料を気化又は昇華させる蒸着源5と、少なくとも吸熱部(71)が電磁石(3)に接触し、放熱部(72)が真空チャンバー(8)の外部に導出されるヒートパイプ(7)と、を有している。そのヒートパイプ(7)と電磁石(3)との接触部が、コイル(32)の内周の断面積以上の面積で密着している。電磁石の温度上昇が抑制され、精度の良い蒸着パターンが得られる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)