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1. (WO2019035345) シリコンウェーハの洗浄方法
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国際公開番号: WO/2019/035345 国際出願番号: PCT/JP2018/028519
国際公開日: 21.02.2019 国際出願日: 31.07.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
五十嵐 健作 IGARASHI Kensaku; JP
阿部 達夫 ABE Tatsuo; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2017-15817418.08.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR CLEANING SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE PLAQUETTE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの洗浄方法
要約:
(EN) The present invention is a method for cleaning a silicon wafer, the method comprising, in the following order: a step for supplying hydrofluoric acid onto the surface of a silicon wafer while rotating the silicon wafer at a first rotation speed; a step for stopping the supply of hydrofluoric acid and shaking off the hydrofluoric acid present on the surface of the silicon wafer while rotating the silicon wafer at a second rotation speed equal to or higher than the first rotation speed without supplying pure water onto the surface of the silicon wafer; and a step for supplying ozone water onto the silicon wafer surface, from which hydrofluoric acid was shaken off, while rotating the silicon wafer at a third rotation speed equal to or higher than the second rotation speed. Accordingly, the present invention provides a method for cleaning a silicon wafer, the method capable of improving wafer quality by suppressing watermarks or the adhesion of particles.
(FR) La présente invention concerne un procédé de nettoyage d'une plaquette de silicium, le procédé comprenant, dans l'ordre suivant : une étape consistant à appliquer de l'acide fluorhydrique sur la surface d'une plaquette de silicium tout en faisant tourner la plaquette de silicium à une première vitesse de rotation; une étape consistant à arrêter l'application d'acide fluorhydrique et à éliminer par agitation l'acide fluorhydrique présent sur la surface de la plaquette de silicium tout en faisant tourner la plaquette de silicium à une deuxième vitesse de rotation égale ou supérieure à la première vitesse de rotation sans appliquer d'eau pure sur la surface de la plaquette de silicium; et une étape consistant à appliquer de l'eau ozonisée sur la surface de la plaquette de silicium, de laquelle l'acide fluorhydrique a été éliminé par agitation, tout en faisant tourner la plaquette de silicium à une troisième vitesse de rotation égale ou supérieure à la deuxième vitesse de rotation. Par conséquent, la présente invention fournit un procédé de nettoyage d'une plaquette de silicium, le procédé permettant d'améliorer la qualité de plaquette par une suppression de traces de séchage ou d'adhérence de particules.
(JA) 本発明は、シリコンウェーハの洗浄方法であって、前記シリコンウェーハを第1の回転速度で回転させながら、前記シリコンウェーハの表面に対して、フッ酸を供給して処理する工程と、前記フッ酸の供給を停止するとともに、前記シリコンウェーハの表面に対して純水を供給することなく、前記シリコンウェーハを、前記第1の回転速度と同じかそれよりも速い第2の回転速度で回転させながら、前記シリコンウェーハの表面に存在するフッ酸を振り切る工程と、前記表面のフッ酸を振り切った後の前記シリコンウェーハを前記第2の回転速度よりも速い第3の回転速度で回転させながら、前記シリコンウェーハの表面にオゾン水を供給して処理する工程とを、この順序で含むシリコンウェーハの洗浄方法である。これにより、ウォーターマークやパーティクルの付着を抑制してウェーハ品質を向上させることができるシリコンウェーハの洗浄方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)