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1. (WO2019035343) 炭素濃度測定方法
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国際公開番号: WO/2019/035343 国際出願番号: PCT/JP2018/028362
国際公開日: 21.02.2019 国際出願日: 30.07.2018
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01) ,G01N 21/64 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21
光学的手段,すなわち.赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
62
調査される材料が励起され,それにより光を発しまたは入射光の波長に変化を生ずるシステム
63
光学的励起
64
蛍光;燐光
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
木村 明浩 KIMURA Akihiro; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2017-15792418.08.2017JP
発明の名称: (EN) CARBON CONCENTRATION MEASUREMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE CONCENTRATION EN CARBONE
(JA) 炭素濃度測定方法
要約:
(EN) The present invention provides a carbon concentration measurement method characterized in that: calibration curves are obtained and prepared for each type of raw material of a float-zone (FZ) single crystal, wherein the calibration curves indicate the relationship between carbon concentration and measurement values obtained by a photoluminescence (PL) method; a calibration curve for a raw material of the same type as the raw material of a semiconductor sample to be measured is selected; and the selected calibration curve is used to calculate a carbon concentration from the measurement values obtained by the PL method for the semiconductor sample to be measured. Accordingly, a carbon concentration measurement method is provided that allows the carbon concentration in a semiconductor sample made of a silicon single crystal (FZ single crystal) manufactured by a FZ method in particular to be accurately measured by a PL method, even for different types of raw materials.
(FR) La présente invention concerne un procédé de mesure de concentration en carbone caractérisé en ce que : des courbes d'étalonnage sont obtenues et préparées pour chaque type de matière première d'un monocristal à zones flottantes (FZ), les courbes d'étalonnage indiquant la relation entre la concentration en carbone et les valeurs de mesure obtenues par un procédé de photoluminescence (PL) ; une courbe d'étalonnage pour une matière première du même type que la matière première d'un échantillon semi-conducteur à mesurer est sélectionnée ; et la courbe d'étalonnage sélectionnée est utilisée pour calculer une concentration en carbone à partir des valeurs de mesure obtenues par le procédé PL pour l'échantillon semi-conducteur à mesurer. En conséquence, l'invention concerne un procédé de mesure de concentration en carbone qui permet à la concentration en carbone dans un échantillon semi-conducteur constitué d'un monocristal de silicium (monocristal FZ) fabriqué par un procédé FZ en particulier d'être mesurée avec précision par un procédé PL, même pour différents types de matières premières.
(JA) 本発明は、PL法による測定値と炭素濃度との関係を示す検量線をFZ単結晶の原料の種類別に作成して用意しておき、測定用半導体試料の原料と同じ種類の原料の検量線を選択し、この選択した検量線を用いて、前記測定用半導体試料のPL法による測定値から炭素濃度を求めることを特徴とする炭素濃度測定方法である。これにより、特にフローティングゾーン(FZ)法により製造されたシリコン単結晶(FZ単結晶)からなる半導体試料の炭素濃度のフォトルミネッセンス(PL)法による測定において、原料の種類が異なっても正確な炭素濃度測定方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)