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1. (WO2019035336) シリコンウエーハのエッジ形状の評価方法および評価装置、シリコンウエーハ、ならびにその選別方法および製造方法
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国際公開番号: WO/2019/035336 国際出願番号: PCT/JP2018/028167
国際公開日: 21.02.2019 国際出願日: 27.07.2018
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,G01B 11/24 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
G 物理学
01
測定;試験
B
長さ,厚さまたは同種の直線寸法の測定;角度の測定;面積の測定;表面または輪郭の不規則性の測定
11
光学的手段の使用によって特徴づけられた測定装置
24
輪郭または曲率の測定用
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
櫻田 昌弘 SAKURADA Masahiro; JP
小林 誠 KOBAYASHI Makoto; JP
小林 武史 KOBAYASHI Takeshi; JP
金谷 晃一 KANAYA Koichi; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2017-15672315.08.2017JP
2017-19788011.10.2017JP
発明の名称: (EN) EVALUATION METHOD AND EVALUATION DEVICE OF EDGE SHAPE OF SILICON WAFER, SILICON WAFER, AND SELECTION METHOD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'ÉVALUATION DE LA FORME DU BORD D'UNE TRANCHE DE SILICIUM, TRANCHE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE SÉLECTION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉS
(JA) シリコンウエーハのエッジ形状の評価方法および評価装置、シリコンウエーハ、ならびにその選別方法および製造方法
要約:
(EN) The present invention provides a method for evaluating the edge shape of a silicon wafer, the method comprising: when a radial reference L1, a radial reference L2, an intersection point P1, a height reference surface L3, h1 [μm], h2 [μm], a point Px3, a straight line Lx, an angle θx, a point Px0, δ [μm], a point Px1, and a radius Rx [μm] are defined as shape parameters in the wafer cross section, measuring the edge shape of the silicon wafer; setting the values of the shape parameters of h1, h2, and δ, and on the basis of the measurement data of the edge shape, calculating the shape parameters of Rx and θx according to the definition; and determining and evaluating the edge shape of the silicon wafer from the calculated Rx and θx. Thereby, there is provided a method for evaluating the edge shape of a silicon wafer, which can prevent in advance the occurrence of trouble such as the rupture of a formed film in a film forming process using, for example, a photoresist material.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'évaluation de la forme du bord d'une tranche de silicium, le procédé consistant : quand une référence radiale L1, une référence radiale L2, un point d'intersection P1, une surface de référence de hauteur L3, h1 [μm], h2 [μm], un point Px3, une droite Lx, un angle θx, un point Px0, δ [μm], un point Px1, et un rayon Rx [μm] sont définis comme paramètres de forme dans la section transversale d'une tranche, à mesurer la forme du bord de la tranche de silicium; à définir les valeurs des paramètres de forme de h1, h2 et δ, et sur la base des données de mesure de la forme du bord, à calculer les paramètres de forme de Rx et θx selon la définition; et à déterminer et à évaluer la forme du bord de la tranche de silicium à partir des Rx et θx calculés. Ainsi, l'invention concerne un procédé d'évaluation de la forme du bord d'une tranche de silicium, qui permet d'empêcher à l'avance la survenue d'un problème tel que la rupture d'un film formé dans un procédé de formation de film à l'aide, par exemple, d'un matériau de résine photosensible.
(JA) 本発明は、シリコンウエーハのエッジ形状評価方法であって、ウエーハ断面における形状パラメーターとして、径方向基準L1、径方向基準L2、交点P1、高さ基準面L3、h1[μm]、h2[μm]、点Px3、直線Lx、角θx、点Px0、δ[μm]、点Px1、半径Rx[μm]を定義するとき、シリコンウエーハのエッジ形状を測定し、h1、h2、δの形状パラメーターの値を設定して、エッジ形状の測定データに基づいて、定義に則してRxおよびθxの形状パラメーターを算出し、該算出したRxおよびθxからシリコンウエーハのエッジ形状を判定して評価するシリコンウエーハのエッジ形状評価方法を提供する。これにより、例えばフォトレジスト材を使用する成膜プロセスでの生成膜の破裂のようなトラブルの発生を未然に防止できる、シリコンウエーハのエッジ形状の評価方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)