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1. (WO2019035314) プラズマ異常判定方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/035314 国際出願番号: PCT/JP2018/027282
国際公開日: 21.02.2019 国際出願日: 20.07.2018
IPC:
H05H 1/00 (2006.01) ,C23C 16/52 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
52
被覆工程の制御または調整(制御または調整一般G05)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
竹田 剛 TAKEDA, Tsuyoshi; JP
西野 達弥 NISHINO, Tatsuya; JP
代理人:
特許業務法人アイ・ピー・ウィン PATENT PROFESSIONAL CORPORATION IPWIN; 神奈川県横浜市神奈川区栄町10番地35 ポートサイドダイヤビル Portside Daiya Building, 10-35 Sakae-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210052, JP
優先権情報:
2017-15647114.08.2017JP
発明の名称: (EN) PLASMA ABNORMALITY DETERMINATION METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION D'ANOMALIE DE PLASMA, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) プラズマ異常判定方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置
要約:
(EN) Provided is a technique by which it is possible to determine a plasma abnormality. Provided is the technique in which an image capture device disposed in a processing chamber is used to capture an image of a gas supply port that supplies plasma-converted gas to the inside of the processing chamber. On the basis of the captured image of the gas supply port, the determination intensity of the plasma is detected, and on the basis of detected emission intensity, it is determined whether abnormal discharge is occurring and/or whether flickering is occurring.
(FR) L'invention concerne une technique permettant de déterminer une anomalie de plasma. L'invention concerne une technique dans laquelle un dispositif de capture d'image disposé dans une chambre de traitement est utilisé pour capturer une image d'un orifice d'alimentation en gaz qui fournit du gaz converti par plasma à l'intérieur de la chambre de traitement. Sur la base de l'image capturée de l'orifice d'alimentation en gaz, l'intensité de détermination du plasma est détectée, et sur la base de l'intensité d'émission détectée, il est déterminé si une décharge anormale se produit et/ou si un papillotement se produit.
(JA) プラズマの異常を判定することが可能な技術を提供する。 処理室内に配置された撮像装置を用いて、前記処理室内にプラズマ化されたガスを供給するガス供給口を撮像し、撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマの発光強度を検出し、検出された発光強度に基づいて、プラズマの異常放電の発生の有無とちらつきの発生の有無の少なくとも一方を判定する技術を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)