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1. (WO2019035274) テンプレート基板、電子デバイス,発光デバイス,テンプレート基板の製造方法および電子デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/035274 国際出願番号: PCT/JP2018/023254
国際公開日: 21.02.2019 国際出願日: 19.06.2018
IPC:
H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/12 (2010.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
12
応力緩和構造を有するもの,例.バッファ層
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
発明者:
田才 邦彦 TASAI, Kunihiko; JP
中島 博 NAKAJIMA, Hiroshi; JP
川西 秀和 KAWANISHI, Hidekazu; JP
簗嶋 克典 YANASHIMA, Katsunori; JP
代理人:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2017-15641614.08.2017JP
発明の名称: (EN) TEMPLATE SUBSTRATE, ELECTRONIC DEVICE, LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING TEMPLATE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE GABARIT, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT ÉPITAXIAL POUR DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) テンプレート基板、電子デバイス,発光デバイス,テンプレート基板の製造方法および電子デバイスの製造方法
要約:
(EN) This template substrate comprises: a first layer which comprises Alx2Inx1Ga(1-x1-x2)N (0 < x1 < 1 and 0 ≤ x2 < 1) and exhibits lattice relaxation by having a lattice constant a1 in an in-plane direction that is greater than the lattice constant of GaN in an in-plane direction; a second layer which comprises AlyGa(1-y)N (0 ≤ y < 1) and is layered in such a way as to be lattice-matched to the first layer; and a third layer which is provided so as to face the first layer with the second layer being interposed therebetween, is lattice-matched to the second layer, and comprises Alz2Inz1Ga(1-z1-z2)N (0 < z1 < 1 and 0 ≤ z2 < 1).
(FR) Ce substrat de gabarit comprend : une première couche qui comprend Alx2Inx1Ga(1-x1-x2)N (0 < x1 < 1 et 0 ≤ x2 < 1) et présente une relaxation de réseau en ayant un pas de réseau a1 dans une direction dans le plan qui est supérieure au pas de réseau de GaN dans une direction dans le plan ; une deuxième couche qui comprend AlyGa(1-y)N (0 ≤ y < 1) et est stratifiée de manière à être en correspondance de réseau avec la première couche ; et une troisième couche qui est disposée de façon à faire face à la première couche, la deuxième couche étant intercalée entre celles-ci, est en correspondance de réseau avec la deuxième couche, et comprend Alz2Inz1Ga(1-z1-z2)N (0 < z1 < 1 et 0 ≤ z2 < 1).
(JA) Alx2Inx1Ga(1-x1-x2)N(0<x1<1,0≦x2<1)からなり、かつ、GaNの面内方向の格子定数よりも大きい面内方向の格子定数a1を有して格子緩和した第1層と、 前記第1層に格子整合して積層されたAlyGa(1-y)N(0≦y<1)からなる第2層と、 前記第2層を間にして前記第1層に対向して設けられ、前記第2層に格子整合するとともに、Alz2Inz1Ga(1-z1-z2)N(0<z1<1,0≦z2<1)からなる第3層と を備えたテンプレート基板。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)