このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019035258) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/035258 国際出願番号: PCT/JP2018/020187
国際公開日: 21.02.2019 国際出願日: 25.05.2018
IPC:
H01L 21/302 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
芳賀 健佑 HAGA Kensuke; JP
森谷 敦 MORIYA Atsushi; JP
中磯 直春 NAKAISO Naoharu; JP
宮倉 敬弘 MIYAKURA Takahiro; JP
代理人:
福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro; JP
阿仁屋 節雄 ANIYA Setuo; JP
優先権情報:
2017-15654114.08.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
要約:
(EN) According to the present invention, a portion of a film formed on the surface of a substrate is etched by performing a cycle a predetermined number of times, wherein the cycle comprises: a step for supplying an etching gas into a processing chamber while increasing the pressure inside the processing chamber in a state in which a substrate having a film formed on the surface thereof is accommodated in the processing chamber; and a step for reducing the pressure inside the processing chamber while exhausting the gas from the processing chamber in a state in which the supply of the etching gas into the processing chamber is stopped.
(FR) Selon la présente invention, une partie d'un film formé sur la surface d'un substrat est gravée par réalisation d'un cycle un nombre prédéterminé de fois, le cycle comprenant : une étape consistant à introduire un gaz de gravure dans une chambre de traitement tout en augmentant la pression à l'intérieur de la chambre de traitement dans un état dans lequel un substrat ayant un film formé sur sa surface est installé dans la chambre de traitement ; et une étape consistant à réduire la pression à l'intérieur de la chambre de traitement tout en évacuant le gaz de la chambre de traitement dans un état dans lequel la distribution du gaz de gravure dans la chambre de traitement est arrêtée.
(JA) 表面に膜が形成された基板を処理室内に収容した状態で、処理室内の圧力を上昇させつつ、処理室内へエッチングガスを供給する工程と、処理室内へのエッチングガスの供給を停止した状態で、処理室内を排気することで、処理室内の圧力を降下させる工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板の表面に形成された膜の一部をエッチングする。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)