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1. (WO2019035254) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
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国際公開番号: WO/2019/035254 国際出願番号: PCT/JP2018/019270
国際公開日: 21.02.2019 国際出願日: 18.05.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/02 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H01L 27/30 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
30
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの
出願人:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
発明者:
坂東 雅史 BANDO Masashi; JP
齊藤 陽介 SAITO Yosuke; JP
代理人:
山本 孝久 YAMAMOTO Takahisa; JP
吉井 正明 YOSHII Masaaki; JP
優先権情報:
2017-15714916.08.2017JP
発明の名称: (EN) IMAGE PICKUP ELEMENT, LAMINATED-TYPE IMAGE PICKUP ELEMENT, AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE, ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE DE TYPE STRATIFIÉ ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
要約:
(EN) This image pickup element is provided with a photoelectric conversion unit formed by laminating a first electrode 21, a photoelectric conversion layer 23A, and a second electrode 22. Between the first electrode 21 and the photoelectric conversion layer 23A, a first semiconductor material layer 23B1 and a second semiconductor material layer 23B2 are formed from the first electrode side, and the second semiconductor material layer 23B2 is in contact with the photoelectric conversion layer 23A. The photoelectric conversion unit is provided with: an insulating layer 82; and a charge accumulation electrode 24 disposed to be spaced apart from the first electrode 21 and disposed to face the first semiconductor material layer 23B1 with the insulating layer 82 therebetween. When the carrier mobility of the first semiconductor material layer 23B1 is μ1 and the carrier mobility of the second semiconductor material layer 23B2 is μ2, μ21 is satisfied.
(FR) L'invention concerne un élément de capture d'image pourvu d'une unité de conversion photoélectrique formée par stratification d'une première électrode (21), d'une couche de conversion photoélectrique (23A) et d'une seconde électrode (22). Entre la première électrode (21) et la couche de conversion photoélectrique (23A), une première couche de matériau semi-conducteur (23B1) et une seconde couche de matériau semi-conducteur (23B2) sont formées à partir de la face de la première électrode, et la seconde couche d'un matériau semi-conducteur (23B2) est en contact avec la couche de conversion photoélectrique (23A). L'unité de conversion photoélectrique est pourvue de : une couche isolante (82) ; et une électrode d'accumulation de charge (24) disposée de façon à être à espacée de la première électrode (21), et disposée de façon à faire face à la première couche de matériau semi-conducteur (23B1), avec la couche isolante (82) entre elles. Lorsque la mobilité des porteurs de la première couche de matériau semi-conducteur (23B1) est égale à μ1, et la mobilité des porteurs de la seconde couche de matériau semi-conducteur (23B2) est égale à μ2, la relation μ21 est satisfaite.
(JA) 撮像素子は、第1電極21、光電変換層23A及び第2電極22が積層されて成る光電変換部を備えており、第1電極21と光電変換層23Aとの間には、第1電極側から第1半導体材料層23B1及び第2半導体材料層23B2が形成されており、第2半導体材料層23B2は光電変換層23Aに接しており、光電変換部は、更に、絶縁層82、及び、第1電極21と離間して配置され、且つ、絶縁層82を介して第1半導体材料層23B1と対向して配置された電荷蓄積用電極24を備えており、第1半導体材料層23B1のキャリア移動度をμ1、第2半導体材料層23B2のキャリア移動度をμ2としたとき、μ2<μ1 を満足する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)