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1. (WO2019035223) プラズマ生成装置、基板処理装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/035223 国際出願番号: PCT/JP2018/006183
国際公開日: 21.02.2019 国際出願日: 21.02.2018
IPC:
H05H 1/46 (2006.01) ,C23C 16/505 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
505
高周波放電によるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
竹田 剛 TAKEDA, Tsuyoshi; JP
優先権情報:
2017-15634314.08.2017JP
発明の名称: (EN) PLASMA GENERATION DEVICE, SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PRODUCTION DE PLASMA, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) プラズマ生成装置、基板処理装置および半導体装置の製造方法
要約:
(EN) Provided is a technology comprising: a high-frequency power source for supplying power to a plasma generation unit; and a matching box which is disposed between the high-frequency power source and the plasma generation unit, for matching the load impedance of the plasma generation unit and the output impedance of the high-frequency power source. The high-frequency power source comprises: a high-frequency oscillator that produces a high-frequency wave, a directional coupler that is disposed after the high-frequency oscillator, and that extracts part of a traveling wave component from the high-frequency oscillator and part of a reflected wave component from the matching box; a filter that removes a noise signal added to the reflected wave component extracted by the directional coupler; and a power monitor that measures the reflected wave component that has passed through the filter and the traveling wave component extracted by the directional coupler to perform feedback control on the matching box so that the reflected wave component from the matching box is lessened.
(FR) L'invention concerne une technologie comprenant : une source d'alimentation haute fréquence qui alimente en énergie une unité de production de plasma ; et une boîte d'adaptation qui est disposée entre la source d'alimentation haute fréquence et l'unité de production de plasma et qui adapte l'impédance de charge de l'unité de production de plasma et l'impédance de sortie de la source d'énergie haute fréquence. La source d'alimentation haute fréquence comprend : un oscillateur haute fréquence qui produit une onde haute fréquence ; un coupleur directionnel qui est disposé après l'oscillateur haute fréquence et qui extrait une partie d'une composante d'onde progressive de l'oscillateur haute fréquence et une partie d'une composante d'onde réfléchie à partir de la boîte d'adaptation ; un filtre qui élimine un signal de bruit ajouté à la composante d'onde réfléchie extraite par le coupleur directionnel ; et un dispositif de surveillance de puissance qui mesure la composante d'onde réfléchie qui a traversé le filtre et la composante d'onde progressive extraite par le coupleur directionnel de manière à effectuer une commande de rétroaction sur la boîte d'adaptation de telle sorte que la composante d'onde réfléchie à partir de la boîte d'adaptation est réduite.
(JA) プラズマ発生部に電源を供給するための高周波電源と、前記高周波電源と前記プラズマ発生部との間に設けられ、前記プラズマ発生部の負荷インピーダンスと前記高周波電源の出力インピーダンスとの整合をとるための整合器とを備え、前記高周波電源は、高周波を発振する高周波発振器と、前記高周波発振器の後段に配置され、前記高周波発振器からの進行波成分と前記整合器からの反射波成分の一部をそれぞれ取り出す方向性結合器と、前記方向性結合器によって取り出された前記反射波成分に加わったノイズ信号を除去するフィルタと、前記フィルタを通過後の前記反射波成分と、前記方向性結合器によって取り出された前記進行波成分とを測定して、前記整合器からの反射波成分が少なくなるように前記整合器をフィードバック制御する電力モニタとを有する技術を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)