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1. (WO2019035186) ノイズ低減体、その製造方法およびこれを用いた電子機器
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国際公開番号: WO/2019/035186 国際出願番号: PCT/JP2017/029440
国際公開日: 21.02.2019 国際出願日: 16.08.2017
IPC:
H05K 9/00 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
9
電場または磁場に対する装置または部品の遮へい
出願人:
株式会社京楽産業ホールディングス KYORAKU INDUSTRIAL HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市天白区中砂町210番地 210 Nakasuna-cho, Tenpaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4680065, JP
金城 徹 KINJOH Toru [JP/JP]; JP
発明者:
金城 徹 KINJOH Toru; JP
樋口 泰典 HIGUCHI Yasunori; JP
代理人:
久米川 正光 KUMEGAWA Masamitsu; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) NOISE REDUCTION BODY, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, ELECTRONIC DEVICE USING SAME
(FR) CORPS DE RÉDUCTION DE BRUIT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE FAISANT APPEL À CES DERNIERS
(JA) ノイズ低減体、その製造方法およびこれを用いた電子機器
要約:
(EN) [Problem] To provide a novel noise reduction body using crystalline nano-diamond semiconductor particles [Solution] The present invention provides a noise reduction body 1 which reduces electromagnetic noise affecting electric circuits. This noise reduction body 1 is composed of a plurality cluster-type cells 2 which are excited independently from each other, have capacitance, and have semiconductor properties. In each cluster-type cell 2, a plurality of crystalline nano-diamond semiconductor particles 3 having a spontaneous charge and coated with amorphous silicon 4 are bonded in a tufted shape. Preferably, the diameter of the cluster-type cell 2 is 15-30 nm, the diameter of the crystalline nano-diamond semiconductor particles 3 is 3-8 nm, and the activation energy level of the crystalline nano-diamond semiconductor particles 3 is 0.3-0.7 eV.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un nouveau corps de réduction de bruit faisant appel à des nanoparticules cristallines semi-conductrices en diamant. La solution selon l'invention porte sur un corps de réduction de bruit (1) qui réduit le bruit électromagnétique affectant les circuits électriques. Ce corps de réduction de bruit (1) est composé d'une pluralité de cellules du type groupe (2) qui sont excitées indépendamment les unes des autres, ont une capacité et présentent des propriétés semi-conductrices. Dans chaque cellule du type groupe (2), une pluralité de nanoparticules cristallines semi-conductrices en diamant (3) ayant une charge spontanée et revêtues de silicium amorphe (4) sont liées en une forme touffetée. De préférence, le diamètre de la cellule du type groupe (2) est de 15 à 30 nm, le diamètre des nanoparticules cristallines semi-conductrices en diamant (3) est compris entre 3 et 8 nm, et le niveau d'énergie d'activation des nanoparticules cristallines semi-conductrices en diamant (3) est de 0,3 à 0,7 eV.
(JA) 【課題】結晶系ナノダイヤモンド半導体粒子を用いた新規なノイズ低減体を提供する。 【解決手段】ノイズ低減体1は、電気回路に影響を及す電磁ノイズを低減する。このノイズ低減体1は、互いに独立して励起し、静電容量を有し、かつ、半導体としての特性を備えた複数のクラスター型セル2によって構成されている。それぞれのクラスター型セル2は、自発電荷を有し、かつ、アモルファスシリコン4でコーティングされた複数の結晶系ナノダイヤモンド半導体粒子3が房状に結合している。クラスター型セル2の直径は15nm以上30nm以下、結晶系ナノダイヤモンド半導体粒子3の直径は3nm以上8nm以下、結晶系ナノダイヤモンド半導体粒子3の活性化エネルギーレベルは0.3eV以上0.7eV以下であることが好ましい。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)