このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019035161) 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/035161 国際出願番号: PCT/JP2017/029288
国際公開日: 21.02.2019 国際出願日: 14.08.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,C09K 3/14 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
14
抗スリップ物質;研摩物質
出願人:
日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
発明者:
花野 真之 HANANO Masayuki; JP
瀧澤 寿夫 TAKIZAWA Toshio; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori; JP
平野 裕之 HIRANO Hiroyuki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) POLISHING LIQUID, POLISHING LIQUID SET AND POLISHING METHOD
(FR) LIQUIDE DE POLISSAGE, ENSEMBLE LIQUIDE DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE
(JA) 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
要約:
(EN) According to the present invention, for a base including a substrate, a stopper provided on one surface of the substrate, and an insulation part provided on a surface, of the stopper, opposite to the substrate, a CMP polishing liquid is used to remove a portion of the insulation part, and expose the stopper. This polishing liquid includes: an abrasive grain containing cerium; a non-ionic water-soluble compound A; a polymer compound B having at least one selected from the group consisting of a carboxylic acid group and a carboxylate group; a basic pH adjuster optionally contained; and water, wherein the content of the basic pH adjuster is less than 1.3 × 10-2 mol/kg with respect to the total mass of the polishing liquid.
(FR) Selon la présente invention, pour une base comprenant un substrat, un bouchon disposé sur une surface du substrat, et une partie d'isolation disposée sur une surface, du bouchon, opposée au substrat, un liquide de polissage CMP est utilisé pour retirer une partie de la partie d'isolation, et exposer le bouchon. Ce liquide de polissage comprend : un grain abrasif contenant du cérium ; un composé non ionique soluble dans l'eau A ; un composé polymère B ayant au moins un élément choisi dans le groupe constitué par un groupe acide carboxylique et un groupe carboxylate ; un régulateur de pH basique facultativement contenu ; et de l'eau, la teneur du régulateur de pH basique étant inférieure à 1,3 × 10-2 mol/kg par rapport à la masse totale du liquide de polissage.
(JA) 基板と、基板の一方面上に設けられたストッパと、ストッパの基板とは反対側の面上に設けられた絶縁部と、を備える基体の、絶縁部の一部をCMPによって除去し、ストッパを露出させるために用いられるCMP研磨液であって、 セリウムを含む砥粒と、非イオン性の水溶性化合物Aと、カルボン酸基及びカルボン酸塩基からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する高分子化合物Bと、場合により含有される塩基性pH調整剤と、水と、を含有し、 塩基性pH調整剤の含有量は、研磨液の全質量を基準として、1.3×10-2mol/kg未満である、研磨液。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)