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1. (WO2019033353) PHOTOELECTRIC SENSING APPARATUS AND ELECTRONIC DEVICE
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国際公開番号: WO/2019/033353 国際出願番号: PCT/CN2017/097913
国際公開日: 21.02.2019 国際出願日: 17.08.2017
IPC:
G06K 9/00 (2006.01)
G 物理学
06
計算;計数
K
データの認識;データの表示;記録担体;記録担体の取扱い
9
印刷文字,手書き文字または幾何学図形の読取りまたは認識のための方法または装置,例.指紋のためのもの
出願人:
深圳信炜科技有限公司 SHENZHEN XINWEI TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 南山区西丽街道红花岭工业区南区2区1栋5楼(西边)IP/李唯唯 IP/Li Weiwei (West) Floor 5, Building 1, Block 2, South Area, Honghualing Industrial Zone, Xili Street, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518055, CN
発明者:
李问杰 LI, Wenjie; CN
優先権情報:
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC SENSING APPARATUS AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) APPAREIL DE DÉTECTION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(ZH) 光电传感装置及电子设备
要約:
(EN) Provided are a photoelectric sensing apparatus (20) and an electronic device. The photoelectric sensing apparatus (20) comprises a semiconductor substrate (24), wherein the semiconductor substrate (24) comprises a first surface (240) and a second surface (242) arranged opposite each other; a plurality of photosensitive pixels (22) are formed on the first surface (240) of the semiconductor substrate (24); a plurality of through holes (241) passing through the semiconductor substrate (24) towards the first surface (240) are formed on the second surface (242) of the semiconductor substrate (24); and the through holes (241) correspond to the photosensitive pixels (22). The electronic device comprises the photoelectric sensing apparatus (20).
(FR) L'invention concerne un appareil de détection photoélectrique (20) et un dispositif électronique. L'appareil de détection photoélectrique (20) comprend un substrat semi-conducteur (24), le substrat semi-conducteur (24) comprenant une première surface (240) et une seconde surface (242) disposées en regard l'une de l'autre; une pluralité de pixels photosensibles (22) étant formés sur la première surface (240) du substrat semi-conducteur (24); une pluralité de trous traversants (241) traversant le substrat semi-conducteur (24) vers la première surface (240) étant formés sur la seconde surface (242) du substrat semi-conducteur (24); et les trous traversants (241) correspondant aux pixels photosensibles (22). Le dispositif électronique comprend l'appareil de détection photoélectrique (20).
(ZH) 一种光电传感装置(20)及电子设备,该光电传感装置(20)包括一半导体基板(24),所述半导体基板(24)包括相对设置的第一表面(240)和第二表面(242),所述半导体基板(24)的第一表面(240)上形成多个感光像素(22),所述半导体基板(24)的第二表面(242)上形成多个朝所述第一表面(240)贯通所述半导体基板(24)的通孔(241),且所述通孔(241)与所述感光像素(22)对应。电子设备包括该光电传感装置(20)。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 中国語 (ZH)
国際出願言語: 中国語 (ZH)