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1. (WO2019032700) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING MAGNETIC CORE INDUCTOR AND METHOD OF MAKING SAME
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/032700 国際出願番号: PCT/US2018/045807
国際公開日: 14.02.2019 国際出願日: 08.08.2018
IPC:
H01L 49/02 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49
27/00~47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
薄膜または厚膜装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3105
後処理
311
絶縁層のエッチング
出願人:
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
発明者:
SUO, Peng; SG
GU, Yu; SG
SEE, Guan Huei; SG
SUNDARRAJAN, Arvind; SG
代理人:
PATEL, Ronak, A.; US
TABOADA, Alan; US
MOSER, Raymond R., Jr.; US
LINARDAKIS, Leonard, P.; US
優先権情報:
16/056,84707.08.2018US
62/544,74411.08.2017US
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING MAGNETIC CORE INDUCTOR AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE BOBINE D'INDUCTANCE À NOYAU MAGNÉTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
要約:
(EN) A method of forming a magnetic core on a substrate having a stacked inductor coil includes etching a plurality of polymer layers to form at least one feature through the plurality of polymer layers, wherein the at least one feature is disposed within a central region of a stacked inductor coil formed on the substrate; and depositing a magnetic material within the at least one feature.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation d'un noyau magnétique sur un substrat ayant une bobine d'inductance empilée comprenant la gravure d'une pluralité de couches polymères pour former au moins une caractéristique à travers la pluralité de couches polymères, ladite au moins une caractéristique étant disposée à l'intérieur d'une région centrale d'une bobine d'inductance empilée formée sur le substrat ; et le dépôt d'un matériau magnétique à l'intérieur de ladite caractéristique.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)