このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019031556) 架橋性化合物を含有する光硬化性段差基板被覆組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/031556 国際出願番号: PCT/JP2018/029809
国際公開日: 14.02.2019 国際出願日: 08.08.2018
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,C09D 4/00 (2006.01) ,C09D 7/40 (2018.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
D
コーティング組成物,例.ペンキ,ワニスまたはラッカー;パテ;塗料除去剤インキ消し;インキ;修正液;木材用ステイン;糊状または固形の着色料または捺染料;これらの物質の使用法
4
コーティング組成物,例.ペンキ,ワニスまたはラッカー,少なくとも1つの重合性不飽和炭素―炭素結合を持つ有機非高分子化合物に基づくもの
[IPC code unknown for C09D 7/40]
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
40
画像様除去後の処理,例.加熱
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
発明者:
遠藤 貴文 ENDO, Takafumi; JP
▲徳▼永 光 TOKUNAGA, Hikaru; JP
代理人:
特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; 東京都千代田区神田駿河台3丁目2番地 新御茶ノ水アーバントリニティ Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062, JP
優先権情報:
2017-15459909.08.2017JP
発明の名称: (EN) CROSSLINKING-COMPOUND-CONTAINING PHOTOCURABLE STEPPED SUBSTRATE COATING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE REVÊTEMENT DE SUBSTRAT ÉTAGÉ ET PHOTODURCISSABLE CONTENANT UN COMPOSÉ DE RÉTICULATION
(JA) 架橋性化合物を含有する光硬化性段差基板被覆組成物
要約:
(EN) [Problem] To provide a stepped substrate coating composition that forms a coating that can fill and flatten a pattern. [Solution] A photocurable stepped substrate coating composition that includes: a compound (E) that includes a substructure (I) and a substructure (II); a solvent (F); and a crosslinking compound (H). Substructure (II) includes a hydroxyl group that is generated by a reaction between an epoxy group and a proton-generating compound. Substructure (I) is: at least one substructure selected from the group that consists of formulas (1-1)–(1-5); or a substructure that comprises a combination of formula (1-6) and of formula (1-7) or formula (1-8). Substructure (II) is formula (2-1) or formula (2-2). Compound (E) includes epoxy groups and hydroxyl groups in a molar ratio that satisfies 0≤(epoxy groups)/(hydroxyl groups)≤0.5 and includes substructure (II) in a molar ratio that satisfies 0.01≤(substructure (II))/(substructure (I)+substructure (II))≤0.8.
(FR) Le problème décrit par l'invention est de fournir une composition de revêtement de substrat étagé qui permet de former un revêtement capable de remplir et d'aplatir un motif. Selon l'invention, la solution consiste en une composition de revêtement de substrat étagé photodurcissable qui comprend : un composé (E) qui comprend une sous-structure (I) et une sous-structure (II) ; un solvant (F) ; et un composé de réticulation (H). La sous-structure (II) comprend un groupe hydroxyle qui est généré par une réaction entre un groupe époxy et un composé générateur de protons. La sous-structure (I) correspond à au moins une sous-structure choisie dans le groupe constitué par les formules (1-1) – (1-5), ou encore à une sous-structure qui comprend une combinaison de la formule (1-6) et de la formule (1-7) ou (1-8). La sous-structure (II) correspond à la formule (2-1) ou à la formule (2-2). Le composé (E) comprend des groupes époxy et des groupes hydroxyle dans un rapport molaire qui satisfait 0 ≤ (groupes époxy) / (groupes hydroxyle) ≤ 0,5 et il comprend la sous-structure (II) dans un rapport molaire qui satisfait 0,01 ≤ (sous-structure (II)) / (sous-structure (I) + sous-structure (II)) ≤ 0,8.
(JA) 【課題】パターンへの充填性と平坦化性を有する被膜を形成する段差基板被覆組成物を提供。 【解決手段】部分構造(I)と部分構造(II)とを含む化合物(E)、溶剤(F)、及び架橋性化合物(H)を含み該部分構造(II)がエポキシ基とプロトン発生化合物の反応により生じたヒドロキシ基を含む光硬化性段差基板被覆組成物であって、該部分構造(I)は下記式(1-1)乃至式(1-5)からなる群より選ばれる少なくとも一つの部分構造、又は式(1-6)と式(1-7)若しくは式(1-8)との組み合わせからなる部分構造であり、部分構造(II)は下記式(2-1)又は式(2-2)の部分構造である上記組成物。化合物(E)中、エポキシ基とヒドロキシ基とを0≦(エポキシ基)/(ヒドロキシ基)≦0.5となるモル比で含み、部分構造(II)を0.01≦(部分構造(II))/(部分構造(I)+部分構造(II))≦0.8となるモル比。 【化1】
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)