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1. (WO2019031513) 半導体デバイス及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2019/031513 国際出願番号: PCT/JP2018/029634
国際公開日: 14.02.2019 国際出願日: 07.08.2018
IPC:
H01L 23/29 (2006.01) ,C08G 59/20 (2006.01) ,C08J 7/04 (2006.01) ,C08L 63/00 (2006.01) ,C08L 79/08 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
59
1分子中に1個より多くのエポキシ基を含有する重縮合物;エポキシ重縮合物と単官能性低分子量化合物との反応によって得られる高分子化合物;エポキシ基と反応する硬化剤または触媒を用いて1分子中に1個より多くのエポキシ基を含有する化合物を重合することにより得られる高分子化合物
18
エポキシ基と反応する硬化剤または触媒を用いて1分子中に1個より多くのエポキシ基を含む化合物を重合することにより得られる高分子化合物
20
用いられたエポキシ化合物に特徴のあるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
J
仕上げ;一般的混合方法;サブクラスC08B,C08C,C08F,C08GまたはC08Hに包含されない後処理(プラスチックの加工,例.成形B29)
7
高分子物質から製造された成形体の処理または被覆
04
被覆
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
63
エポキシ樹脂の組成物;エポキシ樹脂の誘導体の組成物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
79
グループ61/00から77/00に属さない,主鎖のみに酸素または炭素を含みまたは含まずに窒素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物の組成物
04
主鎖に窒素含有複素環を有する重縮合物;ポリヒドラジド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
08
ポリイミド;ポリエステル―イミド;ポリアミド―イミド;ポリアミド酸または類似のポリイミドプリカーサー
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
31
配列に特徴のあるもの
出願人:
日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
発明者:
佐藤 英一 SATOH Eiichi; JP
竹森 大地 TAKEMORI Daichi; JP
佐藤 泉樹 SATO Mizuki; JP
戸川 光生 TOGAWA Mitsuo; JP
山田 和彦 YAMADA Kazuhiko; JP
関 皓平 SEKI Kohei; JP
代理人:
三好 秀和 MIYOSHI Hidekazu; JP
高橋 俊一 TAKAHASHI Shunichi; JP
伊藤 正和 ITO Masakazu; JP
高松 俊雄 TAKAMATSU Toshio; JP
優先権情報:
2017-15589110.08.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体デバイス及びその製造方法
要約:
(EN) A semiconductor device which comprises: a substrate; a semiconductor element which is arranged on the substrate; a wire which electrically connects the substrate and the semiconductor element with each other; a first sealing layer which seals the space below the tip of the wire; and a second sealing layer which is provided on top of the first sealing layer, with the bonding wire being interposed therebetween. This semiconductor device is configured such that: the first sealing layer is composed of a cured film of a liquid sealing material; and the second sealing layer is composed of a dried coating film of an insulating resin coating material.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant : un substrat ; un élément semi-conducteur disposé sur le substrat ; un fil établissant une interconnexion électrique entre le substrat et l'élément semi-conducteur ; une première couche de scellement scellant l'espace sous l'extrémité du fil ; et une seconde couche de scellement disposée au-dessus de la première couche de scellement, le fil de liaison étant interposé entre ces dernières. Le présent dispositif à semi-conducteurs est conçu de sorte que : la première couche de scellement soit composée d'un film durci d'un matériau de scellement liquide ; et la seconde couche de scellement soit composée d'un film de revêtement séché d'un matériau de revêtement en résine isolante.
(JA) 基板と、上記基板上に配置された半導体素子と、上記基板と上記半導体素子とを電気的に接続するワイヤと、上記ワイヤの頂点よりも下部の空間を封止する第1の封止層と、上記第1の封止層の上部に上記ボンディングワイヤを介して設けられる第2の封止層とを有する半導体デバイスであって、上記第1の封止層が液状封止材の硬化膜からなり、上記第2の封止層が絶縁性樹脂コート材の乾燥塗膜からなる、半導体デバイス。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)