このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019031409) パターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/031409 国際出願番号: PCT/JP2018/029246
国際公開日: 14.02.2019 国際出願日: 03.08.2018
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,B29C 59/02 (2006.01) ,C08F 20/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
B 処理操作;運輸
29
プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
C
プラスチックの成形または接合;可塑状態の物質の成形一般;成形品の後処理,例.補修
59
表面成形,例.エンボス;そのための装置
02
機械的手段,例.プレス,によるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
20
ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物,その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの単独重合体または共重合体
出願人:
キヤノン株式会社 CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501, JP
発明者:
齋藤 有弘 SAITO Tomohiro; JP
伊藤 俊樹 ITO Toshiki; JP
大谷 智教 OTANI Tomonori; JP
代理人:
岡部 讓 OKABE Yuzuru; JP
齋藤 正巳 SAITO Masami; JP
優先権情報:
2017-15571510.08.2017JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
要約:
(EN) Provided is a pattern forming method which has a high filling rate and a small contact angle of a resist on a layer that is mainly composed of carbon such as SOC, and which is free from the occurrence of pattern separation. This pattern forming method sequentially comprises in the following order: an arrangement step wherein a curable composition is arranged on a base layer (102) of a substrate (101); a mold contact step wherein the curable composition and a mold (106) are brought into contact with each other; a light irradiation step wherein the curable composition is irradiated with light, thereby forming a cured film (108); and a mold release step wherein the cured film (108) and the mold (106) are separated from each other. With respect to this pattern forming method, the proportion of the number of carbon atoms relative to the total number of atoms in the base layer (102) is 80% or more; and the arrangement step comprises a first arrangement step wherein a curable composition (A1) (103) that does not substantially contain a fluorine-based surfactant is arranged on the base layer (102), and a second arrangement step wherein droplets of a curable composition (A2) (104), which has a fluorine-based surfactant concentration of 1.1% by mass or less in the components excluding the solvent, are discretely dropped on the curable composition (A1) (103).
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de motif ayant un taux de remplissage élevé et un petit angle de contact d'une réserve sur une couche qui est principalement composée de carbone comme le COS et sur laquelle il n'y a pas de séparation de motif. Ce procédé de formation de motif comprend consécutivement dans l'ordre suivant : une étape d'agencement dans laquelle une composition durcissable est disposée sur une couche de base (102) d'un substrat (101) ; une étape de contact de moule dans laquelle la composition durcissable et un moule (106) sont mis en contact l'un avec l'autre ; une étape d'exposition à lumière dans laquelle la composition durcissable est exposée à la lumière, formant ainsi un film durci (108) ; et une étape de démoulage dans laquelle le film durci (108) et le moule (106) sont séparés l'un de l'autre. Par rapport à ce procédé de formation de motif, la proportion du nombre d'atomes de carbone par rapport au nombre total d'atomes dans la couche de base (102) est de 80 % ou plus. L'étape d'agencement comprend une première étape d'agencement dans laquelle une composition durcissable (A1) (103) ne contenant sensiblement pas de tensioactif à base de fluor est disposée sur la couche de base (102), et une seconde étape d'agencement dans laquelle des gouttelettes d'une composition durcissable (A2) (104), ayant une concentration de tensioactif à base de fluor de 1,1 % en masse ou moins dans les constituants à l'exception du solvant, sont déposées individuellement sur la composition durcissable (A1) (103).
(JA) SOC等のカーボンを主成分とする層上でレジストの接触角が小さく、充填速度が速くパターン剥がれが起こらないパターン形成方法を提供する。そのパターン形成方法は、基板(101)の下地層(102)上に硬化性組成物を配置する配置工程と、硬化性組成物とモールド(106)とを接触させる型接触工程と、硬化性組成物に光を照射して硬化膜(108)とする光照射工程と、硬化膜(108)とモールド(106)とを引き離す離型工程と、をこの順に有するパターン形成方法であって、下地層(102)中の総原子数に対する炭素原子数の割合が80%以上であり、配置工程は、フッ素系界面活性剤を実質的に含まない硬化性組成物(A1)(103)を下地層(102)上に配置する第一の配置工程と、硬化性組成物(A1)(103)の上に、溶剤を除く成分中のフッ素系界面活性剤濃度が1.1質量%以下である硬化性組成物(A2)(104)の液滴を離散的に滴下する第二の配置工程を有する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)