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1. (WO2019031374) 基板処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/031374 国際出願番号: PCT/JP2018/028975
国際公開日: 14.02.2019 国際出願日: 02.08.2018
IPC:
H01L 21/301 (2006.01) ,B65G 49/07 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
B 処理操作;運輸
65
運搬;包装;貯蔵;薄板状または線条材料の取扱い
G
運搬または貯蔵装置,例.荷積みまたは荷あげ用コンベヤ;工場コンベヤシステムまたは空気管コンベヤ
49
他の分類に属せず,特殊な目的に適用されることを特徴とする移送装置
05
もろい,または損傷性材料または物品用のもの
07
半導体ウェハーのためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677
移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
田村 武 TAMURA, Takeshi; JP
児玉 宗久 KODAMA, Munehisa; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
2017-15547810.08.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法
要約:
(EN) This substrate treatment method comprises: a processing step for processing a substrate from a second principal surface side which is on the opposite side from a first principal surface of the substrate on which a protection tape is attached; and a transporting step for transporting the substrate processed in the processing step, the substrate having attached thereto an electrostatic supporter capable of being attracted by an electrostatic attraction force. Since the substrate is transported in a state where the substrate after being processed has an electrostatic supporter attached thereto, the brittleness of the substrate can be reinforced by the electrostatic supporter, and the substrate can favorably be prevented from deformation and breakage during transportation.
(FR) L'invention concerne un procédé de traitement de substrat comprenant : une étape de traitement pour traiter un substrat à partir d'un second côté de surface principale qui est sur le côté opposé à partir d'une première surface principale du substrat sur laquelle est fixée une bande de protection ; et une étape de transport pour transporter le substrat traité dans l'étape de traitement, le substrat ayant fixé à celui-ci un support électrostatique pouvant être attiré par une force d'attraction électrostatique. Comme le substrat est transporté dans un état dans lequel le substrat après avoir été traité a un support électrostatique fixé à celui-ci, la fragilité du substrat peut être renforcée par le support électrostatique, et le substrat peut favorablement être empêché de se déformer et de se casser pendant le transport.
(JA) 基板処理方法は、基板の保護テープが貼付される第1主表面とは反対側の第2主表面側から前記基板を加工する加工工程と、加工工程にて加工された基板に、静電吸着力により吸着可能な静電サポータを取りつけて搬送する搬送工程と、を有する。加工が施された後の基板に静電サポータを取りつけた状態で搬送するので、基板の脆弱性を静電サポータによって補強でき、搬送時の基板の変形や破損を良好に防止できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)