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1. (WO2019031226) スピン流磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
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国際公開番号: WO/2019/031226 国際出願番号: PCT/JP2018/027646
国際公開日: 14.02.2019 国際出願日: 24.07.2018
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01) ,G11C 11/16 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
02
磁気的素子を用いるもの
16
記憶作用が磁気的スピン効果に基づいている素子を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
発明者:
塩川 陽平 SHIOKAWA Yohei; JP
佐々木 智生 SASAKI Tomoyuki; JP
代理人:
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
荒 則彦 ARA Norihiko; JP
飯田 雅人 IIDA Masato; JP
荻野 彰広 OGINO Akihiro; JP
優先権情報:
2017-15246807.08.2017JP
発明の名称: (EN) SPIN CURRENT MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF DE COURANT DE SPIN ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) スピン流磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
要約:
(EN) This spin current magnetoresistive effect element is provided with: a magnetoresistive effect element; a spin orbit torque wire which extends in a first direction intersecting a stacked direction of the magnetoresistive effect element, and which is positioned on the second ferromagnetic metal layer side of the magnetoresistive effect element; and a control unit which controls the direction of current during reading. The control unit is connected to at least one of a first point, a second point, and a third point, the first and second points being disposed at positions sandwiching the magnetoresistive effect element in the first direction on the spin orbit torque wire, and the third point being disposed on the first ferromagnetic layer side of the magnetoresistive effect element. The control unit, during reading, diverges a read current from the third point toward the first point and the second point, or converges read currents from the first point and the second point toward the third point.
(FR) L'invention concerne un élément à effet magnétorésistif de courant de spin comprenant : un élément à effet magnétorésistif; un fil de couple spin-orbite qui s'étend dans une première direction croisant une direction empilée de l'élément à effet magnétorésistif, et qui est positionné sur le second côté de la couche métallique ferromagnétique de l'élément à effet magnétorésistif; et une unité de commande qui commande la direction du courant pendant la lecture. L'unité de commande est connectée à au moins l'un d'un premier point, d'un second point et d'un troisième point, les premier et second points étant disposés à des positions prenant en sandwich l'élément à effet magnétorésistif dans la première direction sur le fil de couple spin-orbite, et le troisième point étant disposé sur le premier côté de couche ferromagnétique de l'élément à effet magnétorésistif. L'unité de commande, pendant la lecture, diverge un courant de lecture du troisième point vers le premier point et le second point, ou fait converger des courants de lecture du premier point et du second point vers le troisième point.
(JA) このスピン流磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の積層方向に対して交差する第1の方向に延在し、前記磁気抵抗効果素子の前記第2強磁性金属層の側に位置するスピン軌道トルク配線と、読み出し時の電流の向きを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記スピン軌道トルク配線において第1の方向に前記磁気抵抗効果素子を挟む位置にある第1点及び第2点、と、前記磁気抵抗効果素子の前記第1強磁性層側の第3点とのうち少なくとも一つに接続され、前記制御部は、読み出し時に読み出し電流を、前記第3点から前記第1点及び前記第2点に向かって分流する、または、前記第1点及び前記第2点から前記第3点に向かって合流させる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)