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1. (WO2019031204) ダイオード
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国際公開番号: WO/2019/031204 国際出願番号: PCT/JP2018/027416
国際公開日: 14.02.2019 国際出願日: 23.07.2018
IPC:
H01L 29/861 (2006.01) ,C30B 25/00 (2006.01) ,C30B 29/16 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/24 (2006.01) ,H01L 29/47 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01) ,H01L 29/872 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
16
酸化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
06
半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
24
ドーピング材料または他の不純物は別にして,29/16,29/18,29/20または29/22に分類されない無機半導体材料のみを含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
43
構成材料に特徴のあるもの
47
ショットキー障壁電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
868
PINダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
872
ショットキーダイオード
出願人:
株式会社タムラ製作所 TAMURA CORPORATION [JP/JP]; 東京都練馬区東大泉1丁目19番43号 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511, JP
株式会社ノベルクリスタルテクノロジー NOVEL CRYSTAL TECHNOLOGY, INC. [JP/JP]; 埼玉県狭山市広瀬台二丁目3番1号 2-3-1, Hirosedai, Sayama-shi, Saitama 3501328, JP
発明者:
佐々木 公平 SASAKI, Kohei; JP
共通の
代表者:
株式会社タムラ製作所 TAMURA CORPORATION; 東京都練馬区東大泉1丁目19番43号 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511, JP
優先権情報:
2017-15576810.08.2017JP
発明の名称: (EN) DIODE
(FR) DIODE
(JA) ダイオード
要約:
(EN) Provided is a Ga2O3 diode which utilizes a pn heterojunction, and which is able to be easily produced at low cost. One embodiment of the present invention provides a diode 2 which is provided with: an n-type semiconductor layer 21 that is composed of an n-type Ga2O3 single crystal; and a p-type semiconductor layer 22 that is composed of a p-type semiconductor wherein the volume of amorphous portions is higher than the volume of crystalline portions. With respect to this diode 2, the n-type semiconductor layer 21 and the p-type semiconductor layer 22 form a pn junction.
(FR) L'invention concerne une diode au Ga2O3 qui fait appel à une hétérojonction pn, et qui peut être facilement produite à faible coût. Un mode de réalisation de la présente invention concerne une diode 2 qui comporte : une couche semi-conductrice de type n 21 composée d'un monocristal de Ga2O3 de type n ; et une couche semi-conductrice de type p 22 composée d'un semi-conducteur de type p, le volume de parties amorphes étant supérieur au volume de parties cristallines. Par rapport à ladite diode 2, la couche semi-conductrice de type n 21 et la couche semi-conductrice de type p 22 forment une jonction pn.
(JA) 低コストで容易に製造することのできる、ヘテロpn接合を利用したGa系のダイオードを提供する。 一実施の形態として、n型Ga系単結晶からなるn型半導体層21と、非晶質部分の体積が結晶質部分の体積よりも多いp型半導体からなるp型半導体層22と、を備え、n型半導体層21とp型半導体層22とがpn接合を形成する、ダイオード2を提供する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)