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1. (WO2019031183) 半導体モジュール、表示装置、及び半導体モジュールの製造方法
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国際公開番号: WO/2019/031183 国際出願番号: PCT/JP2018/027076
国際公開日: 14.02.2019 国際出願日: 19.07.2018
IPC:
H01L 33/48 (2010.01) ,B23K 26/57 (2014.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/22 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48
半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
[IPC code unknown for B23K 26/57]
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
08
複数の発光領域を有するもの,例.横方向に不連続な発光層,フォトルミネセント領域が半導体素子本体に集積化されているもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
20
特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
22
粗面,凹凸面,例.エピタキシャル層の界面にあるもの
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
大沼 宏彰 ONUMA, Hiroaki; --
小野 高志 ONO, Takashi; --
東坂 浩由 HIGASHISAKA, Hiroyoshi; --
小野 剛史 ONO, Tsuyoshi; --
栗栖 崇 KURISU, Takashi; --
幡 俊雄 HATA, Toshio; --
代理人:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
優先権情報:
2017-15590410.08.2017JP
2017-20560024.10.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MODULE, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODULE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体モジュール、表示装置、及び半導体モジュールの製造方法
要約:
(EN) This semiconductor module (1) comprises: a base substrate (11) which is provided with a drive circuit (11a); and a plurality of light emitting elements (15) which are electrically connected to the drive circuit (11a). The distance between light emitting elements (15) adjacent to each other is 20 μm or less in a top view.
(FR) La présente invention concerne un module à semi-conducteurs (1), comprenant : un substrat de base (11) pourvu d'un circuit d'attaque (11a); et une pluralité d'éléments électroluminescents (15) qui sont électriquement connectés au circuit d'attaque (11a). La distance entre les éléments électroluminescents (15) adjacents les uns aux autres est inférieure ou égale à 20 µm en vue de dessus.
(JA) 半導体モジュール(1)は、駆動回路(11a)が形成された下地基板(11)と、駆動回路(11a)と電気的に接続された、複数の発光素子(15)とを備え、互いに隣接する発光素子(15)間の距離は、上面視において、20μm以下である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)