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1. (WO2019031036) ESD保護デバイス、および、信号伝送線路
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国際公開番号: WO/2019/031036 国際出願番号: PCT/JP2018/021243
国際公開日: 14.02.2019 国際出願日: 01.06.2018
IPC:
H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H02H 7/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
06
複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
H
非常保護回路装置
7
特定の電気機械または装置,またはケーブルあるいは線路系統の区間保護に特に適用され,正常な動作状態からの異常変化の場合に自動スイッチングを行なわせる非常保護回路装置(特殊な機械または装置と保護装置との構造的結合および自動断路を有しない保護装置は,機械または装置に関連するサブクラスを参照)
20
電子装置のためのもの
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
植木 紀行 UEKI Noriyuki; JP
代理人:
特許業務法人 楓国際特許事務所 KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 大阪府大阪市中央区農人橋1丁目4番34号 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011, JP
優先権情報:
2017-15511910.08.2017JP
発明の名称: (EN) ESD PROTECTION DEVICE AND SIGNAL TRANSMISSION LINE
(FR) DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES ET LIGNE DE TRANSMISSION DE SIGNAL
(JA) ESD保護デバイス、および、信号伝送線路
要約:
(EN) An ESD protection device (10) is provided with: a semiconductor substrate (20) having a first main surface (201); terminal electrodes (41, 42) formed on the first main surface (201) and a terminal electrode (43) connected to the ground; and a wiring electrode (51) that connects the terminal electrodes (41, 42) and constitutes a part of a main line. The semiconductor substrate has a rectangular parallelepiped shape in a plan view. A first semiconductor area connected to the wiring electrode (51), a second semiconductor area connected to a third terminal electrode, and a third semiconductor area are formed on the semiconductor substrate (20). The first semiconductor area and the second semiconductor area are aligned along short sides of the semiconductor substrate (20), and are electrically connected to each other via the third semiconductor area formed along the short sides.
(FR) L'invention concerne un dispositif de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) comprenant : un substrat semi-conducteur (20) ayant une première surface principale (201); des électrodes de borne (41, 42) formées sur la première surface principale (201) et une électrode de borne (43) connectée à la masse; et une électrode de câblage (51) qui connecte les électrodes de borne (41, 42) et constitue une partie d'une ligne principale. Le substrat semi-conducteur a une forme parallélépipédique rectangulaire dans une vue en plan. Une première zone semi-conductrice connectée à l'électrode de câblage (51), une seconde zone semi-conductrice connectée à une troisième électrode de borne et une troisième zone semi-conductrice sont formées sur le substrat semi-conducteur (20). La première zone semi-conductrice et la seconde zone semi-conductrice sont alignées le long de côtés courts du substrat semi-conducteur (20), et sont électroconnectées l'une à l'autre par l'intermédiaire de la troisième zone semi-conductrice formée le long des côtés courts.
(JA) ESD保護デバイス(10)は、第1主面(201)を有する半導体基板(20)と、第1主面(201)に形成された端子電極(41、42)、および、グランドに接続される端子電極(43)と、端子電極(41、42)とを接続し、主線路の一部を構成する配線電極(51)と、を備える。半導体基板は、平面視で直方体形状である。半導体基板(20)には、配線電極(51)に接続される第1の半導体領域と、第3端子電極に接続される第2の半導体領域と、第3の半導体領域とが形成されている。第1の半導体領域と第2の半導体領域とが、半導体基板(20)の短辺に沿って並ぶとともに、短辺に沿って形成される第3の半導体領域を介して、電気的に接続される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)