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1. (WO2019031001) 固体撮像装置、電子装置および固体撮像装置の制御方法
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国際公開番号: WO/2019/031001 国際出願番号: PCT/JP2018/017929
国際公開日: 14.02.2019 国際出願日: 09.05.2018
IPC:
H04N 5/374 (2011.01) ,G01S 7/486 (2006.01) ,G01S 17/89 (2006.01)
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
G 物理学
01
測定;試験
S
無線による方位測定;無線による航行;電波の使用による距離または速度の決定;電波の反射または再輻射を用いる位置測定または存在探知;その他の波を用いる類似の装置
7
グループ13/00,15/00,17/00による方式の細部
48
グループ17/00による方式のもの
483
パルス方式の細部
486
受信機
G 物理学
01
測定;試験
S
無線による方位測定;無線による航行;電波の使用による距離または速度の決定;電波の反射または再輻射を用いる位置測定または存在探知;その他の波を用いる類似の装置
17
電波以外の電磁波の反射または再放射を使用する方式,例.ライダー方式
88
特定の応用に特に適合したライダー方式
89
マッピングまたはイメージング用のもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
梶原 悠 Kajiwara, Yuu; JP
代理人:
丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu; JP
優先権情報:
2017-15375109.08.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND CONTROL METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置、電子装置および固体撮像装置の制御方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to improve charge transfer efficiency of a device designed to cause electric charges to be transferred within a photodiode. A photoelectric conversion element in the solid-state imaging device is provided with multiple electrodes and multiple detection terminals. A driver supplies a potential to each of the multiple electrodes, thereby causing the photoelectric conversion element to simultaneously generate multiple electric fields in different directions and transfer of electric charges to a transfer-destination terminal from all non-transfer-destination terminals among the multiple detection terminals. A detection unit detects a signal corresponding to the amount of the electric charges transferred to the transfer-destination terminal.
(FR) Le but de la présente invention est d'améliorer l'efficacité de transfert de charge d'un dispositif conçu pour amener des charges électriques à être transférées à l'intérieur d'une photodiode. Un élément de conversion photoélectrique dans le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs est pourvu de multiples électrodes et de multiples bornes de détection. Un circuit pilote fournit un potentiel à chacune des multiples électrodes, amenant ainsi l'élément de conversion photoélectrique à générer simultanément de multiples champs électriques dans différentes directions et à transférer des charges électriques vers un terminal de destination de transfert à partir de tous les terminaux qui ne sont pas de destination de transfert parmi les multiples terminaux de détection. Une unité de détection détecte un signal correspondant à la quantité des charges électriques transférées au terminal de destination de transfert.
(JA) フォトダイオード内で電荷を転送させる装置において、電荷の転送効率を高くする。 固体撮像装置内の光電変換素子には、複数の電極と複数の検出端子とが設けられる。ドライバは、複数の電極のそれぞれへの電位の供給により互いに向きの異なる複数の電界を同時に光電変換素子に生じさせて複数の検出端子のうち転送先に該当しない端子の全てから転送先の端子へ電荷を転送させる。検出部は、転送先の端子に転送された前記電荷の量に応じた信号を検出する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)