このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019030804) 表面改質装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/030804 国際出願番号: PCT/JP2017/028617
国際公開日: 14.02.2019 国際出願日: 07.08.2017
予備審査請求日: 16.11.2018
IPC:
C08J 7/00 (2006.01) ,B01J 19/08 (2006.01) ,B29C 59/14 (2006.01) ,H05H 1/24 (2006.01)
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
J
仕上げ;一般的混合方法;サブクラスC08B,C08C,C08F,C08GまたはC08Hに包含されない後処理(プラスチックの加工,例.成形B29)
7
高分子物質から製造された成形体の処理または被覆
B 処理操作;運輸
01
物理的または化学的方法または装置一般
J
化学的または物理的方法,例.触媒,コロイド化学;それらの関連装置
19
化学的,物理的,または物理化学的プロセス一般;それらに関連した装置
08
電気または波動エネルギーあるいは粒子線放射を直接適用したプロセス;そのための装置
B 処理操作;運輸
29
プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
C
プラスチックの成形または接合;可塑状態の物質の成形一般;成形品の後処理,例.補修
59
表面成形,例.エンボス;そのための装置
14
プラズマ処理によるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
出願人:
春日電機株式会社 KASUGA DENKI, INC. [JP/JP]; 神奈川県川崎市幸区新川崎2番4号 2-4, Shinkawasaki Saiwai-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2120032, JP
発明者:
小木曽 智 OGISO Satoru; JP
森下 貴生 MORISHITA Takao; JP
櫻井 行平 SAKURAI Yukihira; JP
吉田 純也 YOSHIDA Junya; JP
杉村 智 SUGIMURA Satoshi; JP
代理人:
嶋 宣之 SHIMA Nobuyuki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SURFACE MODIFYING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MODIFICATION DE SURFACE
(JA) 表面改質装置
要約:
(EN) [Problem] The present invention addresses the problem of reducing the supply quantity of a replacement gas by directly discharging the gas from a discharge electrode, and stabilizing plasma generation by uniformizing gas pressure distribution. [Solution] A discharge electrode E in an electrode chamber C comprises a plurality of electrode members 8, 9. The electrode members 8, 9 are disposed facing each other by having a supporting member 4 therebetween, a gap is formed between the facing portions of the electrode members 8, 9, and by having the gap as a gas passageway 15, the gas passageway is opened in the leading end of the discharge electrode. A replacement gas having been supplied from a manifold pipe 3 is supplied to the gas passageway 15 via an orifice.
(FR) La présente invention a pour objet de réduire la quantité d'alimentation en gaz de remplacement par décharge directe du gaz à partir d'une électrode de décharge, et de stabiliser la génération de plasma par uniformisation de la répartition de pression gazeuse. Selon l'invention, une électrode de décharge E dans une chambre d'électrode C comprend une pluralité d'éléments d'électrode (8, 9). Les éléments d'électrode (8, 9) sont disposés l'un en face de l'autre, un élément de support (4) étant disposé entre eux. Un espace est formé entre les parties opposées des éléments d'électrode (8, 9), l'espace servant de passage de gaz (15), le passage de gaz étant ouvert au niveau de l'extrémité avant de l'électrode de décharge. Un gaz de remplacement provenant d'un tuyau collecteur (3) est acheminé vers le passage de gaz (15) par l'intermédiaire d'un orifice.
(JA) 【課題】放電電極からガスを直接放出させて、置換ガスの供給量を少なくするとともに、ガス圧分布を均等にして、プラズマ生成を安定させる。 【解決手段】 電極チャンバーC内の放電電極Eは、複数の電極部材8,9からなる。そして、これら複数の電極部材8,9は支持部材4を挟持して対向配置されるとともに、これら複数の電極部材8,9の対向部分にすき間が形成され、このすき間をガス通路15として放電電極の先端に開放している。そして、上記ガス通路15にはマニホールドパイプ3から供給された置換ガスを、オリフィスを介して供給する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)