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1. (WO2019029171) SACRIFICIAL LAYER STRUCTURE, METHOD FOR PEELING OFF MATERIAL LAYER AND METHOD FOR FABRICATING MIRROR SURFACE OF LIGHT EMITTING DIODE
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国際公開番号: WO/2019/029171 国際出願番号: PCT/CN2018/081675
国際公開日: 14.02.2019 国際出願日: 03.04.2018
IPC:
H01L 33/46 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
44
コーティングに特徴があるもの,例.パシベーション層,反射防止コーティング
46
反射コーティング,例.誘電体ブラッグ反射鏡
出願人:
厦门三安光电有限公司 XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; 中国福建省厦门市 同安区洪塘镇民安大道841-899号 No.841-899, Min An Road, Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100, CN
発明者:
郭桓邵 KUO, Huan Shao; CN
吴俊毅 WU, Chun-Yi; CN
吴超瑜 WU, Chaoyu; CN
王笃祥 WANG, Duxiang; CN
優先権情報:
201710668552.308.08.2017CN
発明の名称: (EN) SACRIFICIAL LAYER STRUCTURE, METHOD FOR PEELING OFF MATERIAL LAYER AND METHOD FOR FABRICATING MIRROR SURFACE OF LIGHT EMITTING DIODE
(FR) STRUCTURE DE COUCHE SACRIFICIELLE, PROCÉDÉ PERMETTANT DE DÉCOLLER UNE COUCHE DE MATÉRIAU ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UNE SURFACE MIROIR DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(ZH) 牺牲层结构、剥离材料层的方法及发光二极管的镜面制作方法
要約:
(EN) Provided is a method for peeling off a material layer, comprising the steps of: (1) providing a substrate (210), and dividing the upper surface thereof into a first region and a second region; (2) forming a sacrificial layer (230) in the first region of the upper surface of the substrate, the sacrificial layer having a wide upper part and a narrow lower part; (3) depositing a material layer to be peeled off on the upper surface of the substrate, wherein the part of the material layer covering the sacrificial layer is separated from the part of the material layer covering the second region of the upper surface of the substrate due to the sacrificial layer having a wide upper part and a narrow lower part; and (4) removing the sacrificial layer by etching so as to peel off the material layer located on the surface of the sacrificial layer. Also provided are a sacrificial layer structure used in the present peel-off method and a method for fabricating a light emitting diode which uses the peel-off method.
(FR) L'invention concerne un procédé permettant de décoller une couche de matériau, comprenant les étapes consistant : (1) à fournir un substrat (210), et à diviser la surface supérieure dudit substrat en une première région et en une seconde région ; (2) à former une couche sacrificielle (230) dans la première région de la surface supérieure du substrat, la couche sacrificielle ayant une partie supérieure large et une partie inférieure étroite ; (3) à déposer une couche de matériau devant être décollée sur la surface supérieure du substrat, la partie de la couche de matériau recouvrant la couche sacrificielle est séparée de la partie de la couche de matériau recouvrant la seconde région de la surface supérieure du substrat en raison du fait que la couche sacrificielle possède une partie supérieure large et une partie inférieure étroite ; et (4) à retirer la couche sacrificielle par gravure de manière à décoller la couche de matériau se trouvant sur la surface de la couche sacrificielle. L'invention concerne également une structure de couche sacrificielle utilisée dans le présent procédé de décollement et concerne un procédé permettant de fabriquer une diode électroluminescente qui utilise le procédé de décollement.
(ZH) 提供一种剥离材料层的方法,包括步骤:(1)提供基材(210),其上表面划分为第一区域和第二区域;(2)在基材上表面的第一区域形成牺牲层(230),牺牲层呈上宽下窄状;(3)在基材的上表面沉积待剥离的材料层,由于牺牲层呈上宽下窄状,使得材料层覆盖在牺牲层的部分与覆盖在基材上表面的第二区域的部分断开;(4)蚀刻去除牺牲层,从而将位于牺牲层表面上的材料层剥离。同时提供一种用于前述剥离方法的牺牲层结构及一种采用上述剥离方法的发光二极管的制作方法。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 中国語 (ZH)
国際出願言語: 中国語 (ZH)