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1. (WO2019026885) パターン形成方法及び処理液
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国際公開番号: WO/2019/026885 国際出願番号: PCT/JP2018/028599
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 31.07.2018
IPC:
G03F 7/32 (2006.01) ,C08F 20/10 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
30
液体手段を用いる画像様除去
32
そのための液体組成物,例.現像剤
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
20
ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物,その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの単独重合体または共重合体
02
9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10
エステル
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
志水 誠 SHIMIZU,Makoto; JP
川尻 陵 KAWAJIRI,Ryo; JP
一戸 大吾 ICHINOHE,Daigo; JP
代理人:
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所 UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目13-9 新大阪MTビル1号館2階 First Shin-Osaka MT Bldg. 2nd Floor, 5-13-9 Nishinakajima, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2017-15135404.08.2017JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD AND PROCESSING SOLUTION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET SOLUTION DE TRAITEMENT
(JA) パターン形成方法及び処理液
要約:
(EN) Provided is a pattern forming method which exhibits various excellent properties such as good LWR, sensitivity, DOF and suppression of film thinning in a step for forming a pattern of a resist film, and which enables the formation of a resist pattern that has fewer development defects. A pattern forming method which comprises (1) a step for forming a resist film on a substrate with use of a photoresist composition, (2) a step for exposing the resist film to light, (3) a step for forming a pattern by developing the light-exposed resist film by means of a developer liquid, and (4) a step for processing the pattern by means of a processing solution. This pattern forming method is configured such that: the photoresist composition contains (A) a polymer which has a structural unit (I) containing an acid-cleavable group that is cleft by the action of an acid, and the solubility of which in the above-described developer liquid is decreased by dissociation of the acid-cleavable group, and (B) a radiation sensitive acid generator; and the processing solution has acidity.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de motif qui présente diverses excellentes propriétés en termes de rugosité de largeur de ligne, de profondeur de foyer et de suppression de l'amincissement de film dans une étape de formation d'un motif d'un film de photorésine. Le procédé permet la formation d'un motif de photorésine qui présente moins de défauts de développement. Le procédé de formation de motif comprend (1) une étape consistant à former un film de photorésine sur un substrat à l'aide d'une composition de résine photosensible, (2) une étape consistant à exposer le film de photorésine à de la lumière, (3) une étape consistant à former un motif en développant le film de photorésine exposé à la lumière à l'aide d'une substance développatrice, et (4) une étape consistant à traiter le motif au moyen d'une solution de traitement. Ce procédé de formation de motif est configuré de telle sorte que : la composition de résine photosensible contienne (A) un polymère qui a un motif structural (I) contenant un groupe clivable par un acide qui est fendu par l'action d'un acide, et dont la solubilité dans la substance développatrice décrite ci-dessus est diminuée par la dissociation du groupe clivable par l'acide, et (B) un générateur d'acide sensible au rayonnement ; la solution de traitement ait de l'acidité.
(JA) レジスト膜のパターン形成工程における膜減りの抑制、良好なLWR、感度、DOFといった諸性能に優れ、かつ現像欠陥の少ないレジストパターンを形成できるパターン形成方法を提供する。(1)フォトレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、(2)上記レジスト膜を露光する工程、(3)上記露光されたレジスト膜を現像液で現像しパターンを形成する工程、及び(4)上記パターンを処理液で処理する工程を含むパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、[A]酸の作用により解離する酸解離性基を含む構造単位(I)を有し、この酸解離性基の解離により上記現像液に対する溶解性が減少する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有し、上記処理液が酸性を示す処理液であるパターン形成方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)