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1. (WO2019026836) パワーモジュール
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国際公開番号: WO/2019/026836 国際出願番号: PCT/JP2018/028425
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 30.07.2018
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/13 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
13
形状に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
デンカ株式会社 DENKA COMPANY LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町二丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038338, JP
発明者:
広津留 秀樹 HIROTSURU Hideki; JP
谷口 佳孝 TANIGUCHI Yoshitaka; JP
市川 恒希 ICHIKAWA Kohki; JP
酒井 篤士 SAKAI Atsushi; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori; JP
中塚 岳 NAKATSUKA Takeshi; JP
優先権情報:
2017-15188404.08.2017JP
発明の名称: (EN) POWER MODULE
(FR) MODULE DE PUISSANCE
(JA) パワーモジュール
要約:
(EN) A power module 1 comprising a base plate 2, a ceramic insulating substrate 4 joined onto the base plate 2, and a semiconductor element 6 joined onto the ceramic insulating substrate 4, wherein a surface 2b of the base plate 2 on the opposite side from the ceramic insulating substrate 4 has convex warpage 2c, and the linear thermal expansion coefficient α1 (× 10 – 6/K) and the linear thermal expansion coefficient α2 (× 10 – 6/K) during a drop in temperature from 150 to 25˚C satisfy formula (1).
(FR) Selon la présente invention, un module de puissance (1) comprend une plaque de base (2), un substrat isolant céramique (4) assemblé sur la plaque de base (2), et un élément semi-conducteur (6) assemblé sur le substrat isolant céramique (4), une surface (2b) de la plaque de base (2) sur le côté opposé au substrat isolant céramique (4) présentant un gauchissement convexe (2c), et le coefficient de dilatation thermique linéaire α1 (× 10 - 6/K) et le coefficient de dilatation thermique linéaire α2 (× 10 - 6/K) pendant une chute de température de 150 à 25 °C satisfont à la formule (1). Drawing_references_to_be_translated: Nothing to translate
(JA) ベース板2と、ベース板2上に接合されたセラミックス絶縁基板4と、セラミックス絶縁基板4上に接合された半導体素子6と、を備えるパワーモジュールであって、ベース板2のセラミックス絶縁基板4と反対側の面2bが凸状の反り2cを有し、温度150℃から25℃における降温時のベース板2の線熱膨張係数α1(×10-6/K)及びセラミックス絶縁基板4の線熱膨張係数α2(×10-6/K)が下記式(1)を満たす、パワーモジュール1。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)