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1. (WO2019026818) 部品および半導体製造装置
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国際公開番号: WO/2019/026818 国際出願番号: PCT/JP2018/028376
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 30.07.2018
IPC:
C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 8/12 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
8
金属質材料表面への非金属元素のみの固相拡散;表面と反応性ガスとの反応による金属質材料の化学的表面処理,であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残すもの,例.化成被覆(conversioncoatings),金属の不働態化
06
ガスを用いるもの
08
1元素のみが用いられるもの
10
酸化
12
元素状酸素またはオゾンを用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001, JP
東芝マテリアル株式会社 TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2358522, JP
発明者:
日野 高志 HINO Takashi; JP
井上 哲夫 INOUE Tetsuo; JP
齋藤 秀一 SAITO Shuichi; JP
代理人:
特許業務法人サクラ国際特許事務所 SAKURA PATENT OFFICE, P.C.; 東京都千代田区内神田一丁目18番14号 ヨシザワビル Yoshizawa Bldg., 18-14, Uchikanda 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010047, JP
優先権情報:
2017-14775731.07.2017JP
発明の名称: (EN) COMPONENT AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE
(FR) COMPOSANT ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 部品および半導体製造装置
要約:
(EN) The component according to the present invention is provided with a film having polycrystalline yttrium oxide. In an X-ray diffraction pattern of the film, the ratio Im/Ic of the maximum intensity Im of peaks pertaining to monoclinic yttrium oxide to the maximum intensity Ic of peaks pertaining to cubic yttrium oxide satisfies the expression: 0 ≤ Im/Ic ≤ 0.002.
(FR) La présente invention concerne un composant pourvu d'un film comprenant de l'oxyde d'yttrium polycristallin. Dans un diagramme de diffraction des rayons X du film, le rapport Im/Ic de l'intensité maximale Im de pics se rapportant à l'oxyde d'yttrium monoclinique à l'intensité maximale Ic de pics se rapportant à l'oxyde d'yttrium cubique satisfait à l'expression : 0 ≤ Im/Ic ≤ 0,002.
(JA) 部品は、多結晶酸化イットリウムを有する膜を具備する。膜のX線回折パターンにおいて、立方晶酸化イットリウムに帰属するピークの最大強度Iに対する、単斜晶酸化イットリウムに帰属するピークの最大強度Iの比I/Iは、式:0≦I/I≦0.002を満たす。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)