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1. (WO2019026812) アクティブマトリクス基板、それを備えた微小流体装置およびそれらの製造方法
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国際公開番号: WO/2019/026812 国際出願番号: PCT/JP2018/028334
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 27.07.2018
IPC:
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
12
基板が半導体本体以外のもの,例.絶縁体本体
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
辻埜 和也 TSUJINO, Kazuya; --
寺西 知子 TERANISHI, Tomoko; --
蜂谷 篤史 HACHIYA, Atsushi; --
古川 博章 FURUKAWA, Hiroaki; --
代理人:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
優先権情報:
2017-15099603.08.2017JP
発明の名称: (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, MICROFLUIDIC DEVICE PROVIDED WITH SAME, METHOD FOR PRODUCING SAID ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING SAID MICROFLUIDIC DEVICE
(FR) SUBSTRAT MATRICIEL ACTIF, DISPOSITIF MICROFLUIDIQUE COMPRENANT CELUI-CI, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT SUBSTRAT MATRICIEL ACTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT DISPOSITIF MICROFLUIDIQUE
(JA) アクティブマトリクス基板、それを備えた微小流体装置およびそれらの製造方法
要約:
(EN) Provided are: an active matrix substrate which has a decreased drive voltage, while exhibiting excellent adhesion between a dielectric layer and a water repellent layer; and a microfluidic device which is provided with this active matrix substrate. An active matrix substrate (1) which sequentially comprises, on a first substrate (11), an array electrode (13), a dielectric layer (16) that covers the array electrode (13), and a first water repellent layer (18) in this order, and which is characterized in that: the dielectric layer (16) comprises a silicon nitride film which is positioned on a surface that is in contact with the first water repellent layer (18); and the silicon nitride film has a superficial region (17), which contains oxygen, in a surface that is in contact with the first water repellent layer (18).
(FR) L'invention concerne : un substrat matriciel actif qui a une tension d'attaque réduite, tout en présentant une excellente adhérence entre une couche diélectrique et une couche hydrofuge; et un dispositif microfluidique qui comprend ce substrat matriciel actif. Un substrat matriciel actif (1) comprend séquentiellement, sur un premier substrat (11), une électrode de réseau (13), une couche diélectrique (16) qui recouvre l'électrode de réseau (13), et une première couche hydrofuge (18) dans cet ordre, et qui est caractérisé en ce que : la couche diélectrique (16) comprend un film de nitrure de silicium qui est positionné sur une surface qui est en contact avec la première couche hydrofuge (18); et le film de nitrure de silicium a une région superficielle (17), qui contient de l'oxygène, dans une surface qui est en contact avec la première couche hydrofuge (18).
(JA) 駆動電圧が低減され、且つ、誘電体層と撥水層との密着性に優れるアクティブマトリクス基板、及びそれを備えた微小流体装置を提供する。第1基板(11)上に、アレイ電極(13)、上記アレイ電極(13)を覆う誘電体層(16)、及び第1撥水層(18)をこの順に有するアクティブマトリクス基板(1)であって、上記誘電体層(16)は、上記第1撥水層(18)と接する側に位置する窒化シリコン膜を含み、上記窒化シリコン膜は、上記第1撥水層(18)と接する側の表面に、酸素を含有する表層領域(17)を有することを特徴とする、アクティブマトリクス基板(1)。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)