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1. (WO2019026771) キャパシタ
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国際公開番号: WO/2019/026771 国際出願番号: PCT/JP2018/028129
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 26.07.2018
IPC:
H01G 4/30 (2006.01) ,H01G 4/33 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4
固定コンデンサ;その製造方法
30
積層型コンデンサ
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4
固定コンデンサ;その製造方法
33
薄膜または厚膜コンデンサ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
松原 弘 MATSUBARA, Hiroshi; JP
泉谷 淳子 IZUMITANI, Junko; JP
原田 真臣 HARADA, Masatomi; JP
香川 武史 KAGAWA, Takeshi; JP
代理人:
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi; JP
優先権情報:
2017-14783831.07.2017JP
発明の名称: (EN) CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR
(JA) キャパシタ
要約:
(EN) Provided is a capacitor which has improved Q value in cases where a silicon nitride film is used as a dielectric film. A capacitor according to one embodiment of the present invention is provided with: a substrate; a lower electrode which is formed on the substrate; a dielectric film which is formed on the substrate or on the lower electrode; and an upper electrode which is formed on the dielectric film. The dielectric film is configured of two or more silicon nitride film layers that have different composition ratios of Si atoms to N atoms from each other; and the composition ratio of Si atoms to N atoms Si/N of the substrate-side or lower electrode-side silicon nitride film layer is higher than the Si/N composition ratio of the upper electrode-side silicon nitride film layer.
(FR) La présente invention concerne un condensateur qui présente une meilleure valeur Q dans les cas où un film de nitrure de silicium est utilisé comme film diélectrique. Un condensateur selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat ; une électrode inférieure qui est formée sur le substrat ; un film diélectrique qui est formé sur le substrat ou sur l'électrode inférieure ; et une électrode supérieure qui est formée sur le film diélectrique. Le film diélectrique est constitué d'au moins deux couches de film de nitrure de silicium qui présentent des rapports de composition différents entre les atomes de silicium (Si) et les atomes d'azote (N) les uns des autres ; et le rapport de composition Si/N entre les atomes de silicium et les atomes d'azote de la couche de film de nitrure de silicium côté substrat ou côté électrode inférieure est supérieur au rapport de composition Si/N de la couche de film de nitrure de silicium côté électrode supérieure.
(JA) 誘電体膜としてシリコン窒化膜を用いた場合において、Q値を向上させたキャパシタを提供する。 本発明の一側面に係るキャパシタは、基板と、基板に形成された下部電極と、前記基板上又は下部電極上に形成された誘電体膜と、誘電体膜上に形成された上部電極と、を備え、誘電体膜はSi原子とN原子の組成比の異なる2層以上のシリコン窒化膜で構成され、かつ、基板側又は下部電極側のシリコン窒化膜層のSi原子とN原子の組成比率Si/Nが上部電極側のシリコン窒化膜層のSi/N組成比率よりも大きい。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)