WO2019026752 高周波スイッチ

このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせください

1. (WO2019026752) 高周波スイッチ

国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号:	WO/2019/026752	国際出願番号:	PCT/JP2018/028071
国際公開日:	07.02.2019	国際出願日:	26.07.2018

IPC:

H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01P 1/15 (2006.01) ,H03K 17/62 (2006.01)

出願人:

株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足１丁目１０番１号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP

発明者:

関　健太 SEKI Kenta; JP

代理人:

特許業務法人　楓国際特許事務所 KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 大阪府大阪市中央区農人橋１丁目４番３４号 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011, JP

優先権情報:

2017-148755

01.08.2017

発明の名称:

(EN) HIGH-FREQUENCY SWITCH
(FR) COMMUTATEUR HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波スイッチ

要約:

(EN) Provided is a high-frequency switch in which the length of a section in which a travel direction of power from an input/output terminal (P251) to a common terminal (P20) and a travel direction of power from the common terminal (P20) to an external connection terminal (P10) are opposite is greater than the length of a section in which a travel direction of power from an input/output terminal (P211) to the common terminal (P20) and a travel direction of power from the common terminal (P20) to the external connection terminal (P10) are opposite. An FET (251) and an FET (211) have a structure such that power transmitted between the drain and source of the FET (251) due to a predetermined input power is greater than power transmitted between the drain and source of the FET (211).
(FR) L'invention concerne un commutateur haute fréquence dans lequel la longueur d'une section, dans laquelle le sens de déplacement du courant électrique à partir d'une borne d'entrée/sortie (P251) vers une borne commune (P20) et le sens de déplacement du courant électrique à partir de la borne commune (P20) vers une borne de connexion externe (P10) sont opposés, est supérieure à la longueur d'une section dans laquelle le sens de déplacement du courant électrique à partir d'une borne d'entrée/sortie (P211) vers la borne commune (P20) et le sens de déplacement du courant électrique à partir de la borne commune (P20) vers la borne de connexion externe (P10) sont opposés. Un TEC (251) et un autre TEC (211) présentent une structure telle que la puissance transmise entre le drain et la source du TEC (251) en raison de l'application d'une puissance d'entrée prédéfinie, est supérieure à la puissance transmise entre le drain et la source du TEC (211).
(JA) 入出力端子（Ｐ２５１）から共通端子（Ｐ２０）への電力の進行方向と、共通端子（Ｐ２０）から外部接続端子（Ｐ１０）への電力の進行方向とが逆方向となる区間の長さは、入出力端子（Ｐ２１１）から共通端子（Ｐ２０）への電力の進行方向と、共通端子（Ｐ２０）から外部接続端子（Ｐ１０）への電力の進行方向とが逆方向となる区間の長さよりも長い。ＦＥＴ（２５１）とＦＥＴ（２１１）は、所定の入力電力によるＦＥＴ（２５１）のドレインソース間を伝送する電力がＦＥＴ（２１１）のドレインソース間を伝送する電力よりも大きくなる構造を有する。

指定国:

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)

国際公開言語:

日本語 (JA)

国際出願言語:

日本語 (JA)

デフォルト検索方法	簡易検索詳細検索構造化検索 PCT 出願 (公開週別) 多言語検索 (CLIR) 翻訳
デフォルト検索フィールド	Front Page Any Field Full Text ID/Numbers IPC Names Dates
画面表示言語	English Deutsch Français Español 日本語中文 한국어 Português Русский
複数画面モード
ツールチップヘルプ有効化
IPC ツールチップヘルプ
Instant Help
Expanded Query