このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019026741) 基板及び基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/026741 国際出願番号: PCT/JP2018/028001
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 26.07.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G09F 9/00 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
松本 龍児 MATSUMOTO, Ryuji; --
近間 義雅 CHIKAMA, Yoshimasa; --
古川 弘和 FURUKAWA, Hirokazu; --
代理人:
特許業務法人 安富国際特許事務所 YASUTOMI & ASSOCIATES; 大阪府大阪市淀川区宮原3丁目5番36号 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003, JP
優先権情報:
2017-15026802.08.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT
(JA) 基板及び基板の製造方法
要約:
(EN) The present invention provides: a substrate which enables a hole that penetrates a plurality of insulating films to be reduced in size, while exhibiting excellent coverage by and adhesion to an upper layer on the plurality of insulating films in a portion where the hole is formed; and a method for producing this substrate, by which the above-described hole is able to be formed at a time in the above-described plurality of insulating films by means of dry etching. A substrate according to the present invention is sequentially provided with an insulating substrate, a lower layer, a first insulating film, a second insulating film and an upper layer, and is provided with a hole which penetrates at least the first insulating film and the second insulating film and reaches at least one of the lower layer and the insulating substrate. Within the region where the hole is formed, the first insulating film has a projection which protrudes beyond an end of the second insulating film, said end being in contact with the first insulating film; a stepped structure is configured to comprise the projection of the first insulating film and the end of the second insulating film; the upper layer covers the stepped structure; and the upper surface of the projection of the first insulating film and the upper surface of a portion of the first insulating film, said portion being positioned below the end of the second insulating film, are on the same plane.
(FR) La présente invention concerne : un substrat qui permet de diminuer la taille d'un trou qui pénètre une pluralité de films isolants, tout en présentant une excellente couverture par une couche supérieure et une adhérence à cette dernière sur la pluralité de films isolants dans une partie où est formé le trou ; et un procédé de production de ce substrat, par lequel il est possible de former le trou décrit ci-dessus à la fois dans la pluralité susmentionnée de films isolants au moyen d'une gravure sèche. Un substrat selon la présente invention est pourvu successivement d'un substrat isolant, d'une couche inférieure, d'un premier film isolant, d'un second film isolant et d'une couche supérieure, et est pourvu d'un trou qui pénètre au moins le premier film isolant et le second film isolant et qui atteint la couche inférieure et/ou le substrat isolant. Dans la région où est formé le trou, le premier film isolant comporte une saillie qui fait saillie au-delà d'une extrémité du second film isolant, ladite extrémité étant en contact avec le premier film isolant ; une structure étagée est conçue pour comprendre la saillie du premier film isolant et l'extrémité du second film isolant ; la couche supérieure recouvre la structure étagée ; et la surface supérieure de la saillie du premier film isolant et la surface supérieure d'une partie du premier film isolant sont sur le même plan, ladite partie étant positionnée au-dessous de l'extrémité du second film isolant.
(JA) 本発明は、複数の絶縁膜を貫通する孔の大きさを縮小でき、かつ、その孔の形成部における複数の絶縁膜上の上層のカバレッジと密着性とに優れた基板、及び、上記複数の絶縁膜に上記孔をドライエッチングにより一括形成可能な上記基板の製造方法を提供する。 本発明の基板は、絶縁基板と、下層と、第1絶縁膜と、第2絶縁膜と、上層と、を順に備え、少なくとも上記第1絶縁膜及び上記第2絶縁膜を貫通して上記下層及び上記絶縁基板の少なくとも一方に達する孔が設けられ、上記孔が設けられた領域内に、上記第1絶縁膜は、上記第2絶縁膜の、上記第1絶縁膜に接する端部から突出した突出部を有し、上記第1絶縁膜の上記突出部と、上記第2絶縁膜の上記端部とを含んで構成される階段構造が設けられ、上記上層は、上記階段構造を覆い、上記第1絶縁膜の上記突出部の上面と、上記第1絶縁膜の、上記第2絶縁膜の上記端部の下に位置する部分の上面とは、同一平面上にある。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)