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1. (WO2019026677) コバルト、アルミナ、層間絶縁膜、窒化シリコンのダメージを抑制した組成液及びこれを用いた洗浄方法
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国際公開番号: WO/2019/026677 国際出願番号: PCT/JP2018/027592
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 24.07.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,C11D 7/08 (2006.01) ,C11D 7/32 (2006.01) ,C11D 7/50 (2006.01) ,C11D 17/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
7
本質的に非表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物
02
無機化合物
04
水溶性
08
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
7
本質的に非表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物
22
有機化合物
32
窒素を含むもの
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
7
本質的に非表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物
50
溶剤
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
17
形状または物理的性質に特徴がある洗浄性物質または石けん
08
液体石けん;カプセル化されたもの
出願人:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
発明者:
尾家 俊行 OIE Toshiyuki; JP
プトラ プリアンガ プルダナ PUTRA Priangga Perdana; JP
堀田 明伸 HORITA Akinobu; JP
代理人:
小林 浩 KOBAYASHI Hiroshi; JP
杉山 共永 SUGIYAMA Tomohisa; JP
田村 恭子 TAMURA Kyoko; JP
鈴木 康仁 SUZUKI Yasuhito; JP
優先権情報:
2017-14839631.07.2017JP
発明の名称: (EN) LIQUID COMPOSITION FOR REDUCING DAMAGE OF COBALT, ALUMINA, INTERLAYER INSULATING FILM AND SILICON NITRIDE, AND WASHING METHOD USING SAME
(FR) COMPOSITION LIQUIDE POUR RÉDUIRE LES DOMMAGES CAUSÉS PAR LE COBALT, L'ALUMINE, LE FILM ISOLANT INTERCOUCHE ET LE NITRURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE LAVAGE L'UTILISANT
(JA) コバルト、アルミナ、層間絶縁膜、窒化シリコンのダメージを抑制した組成液及びこれを用いた洗浄方法
要約:
(EN) The present invention relates to: a liquid composition suitable for the washing of a semiconductor element provided with a low-dielectric-constant interlayer insulating film; and a method for washing a semiconductor element. The liquid composition according to the present invention is characterized by containing tetrafluoroboric acid (A) in an amount of 0.01 to 30% by mass or boric acid (B1) and hydrogen fluoride (B2) at a (boric acid)/(hydrogen fluoride) ratio of (0.0001 to 5.0% by mass)/(0.005 to 5.0% by mass) and having a pH value of 0.0 to 4.0. The liquid composition according to the present invention can reduce the damage of a low-dielectric-constant interlayer insulating film, cobalt or a cobalt alloy, alumina, a zirconia-based hard mask and a silicon nitride during the process of producing a semiconductor integrated circuit, and accordingly can be used suitablely for removing dry etching residues occurring on the surface of the semiconductor integrated circuit.
(FR) La présente invention concerne : une composition liquide appropriée pour le lavage d'un élément semi-conducteur comprenant un film isolant intercouche à faible constante diélectrique; et un procédé de lavage d'un élément semi-conducteur. La composition liquide selon la présente invention est caractérisée en ce qu'elle contient de l'acide tétrafluoroborique (A) en une quantité de 0,01 à 30 % en masse ou de l'acide borique (B1) et du fluorure d'hydrogène (B2) à un rapport (acide borique)/ (fluorure d'hydrogène) de (0,0001 à 5,0 % en masse)/ (0,005 à 5,0 % en masse) et ayant une valeur de pH de 0,0 à 4,0. La composition liquide selon la présente invention peut réduire les dommages d'un film isolant intercouche à faible constante diélectrique, de cobalt ou d'un alliage de cobalt, d'alumine, un masque dur à base de zircone et un nitrure de silicium pendant le processus de production d'un circuit intégré à semi-conducteur, et peut par conséquent être utilisé de manière appropriée pour enlever des résidus de gravure sèche se produisant sur la surface du circuit intégré à semi-conducteur.
(JA) 本発明は、低誘電率層間絶縁膜を有する半導体素子の洗浄に適した組成液及び半導体素子の洗浄方法に関する。本発明の組成液は、テトラフルオロホウ酸(A)を0.01~30質量%、又はホウ酸(B1)及びフッ化水素(B2)を(ホウ酸/フッ化水素)=(0.0001~5.0質量%/0.005~5.0質量%)で含有し、pHが0.0~4.0の範囲にあることを特徴とする。本発明の組成液は、半導体集積回路の製造工程において低誘電率層間絶縁膜、コバルトまたはコバルト合金、アルミナ、ジルコニア系ハードマスク、窒化シリコンのダメージを抑制し、半導体集積回路の表面に存在するドライエッチング残渣を除去するために好適に用いられる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)