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1. (WO2019026606) 撮像装置
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国際公開番号: WO/2019/026606 国際出願番号: PCT/JP2018/026711
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 17.07.2018
IPC:
H04N 5/369 (2011.01) ,G01S 7/481 (2006.01) ,G01S 17/89 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
G 物理学
01
測定;試験
S
無線による方位測定;無線による航行;電波の使用による距離または速度の決定;電波の反射または再輻射を用いる位置測定または存在探知;その他の波を用いる類似の装置
7
グループ13/00,15/00,17/00による方式の細部
48
グループ17/00による方式のもの
481
構造的特徴,例.光学素子の配列
G 物理学
01
測定;試験
S
無線による方位測定;無線による航行;電波の使用による距離または速度の決定;電波の反射または再輻射を用いる位置測定または存在探知;その他の波を用いる類似の装置
17
電波以外の電磁波の反射または再放射を使用する方式,例.ライダー方式
88
特定の応用に特に適合したライダー方式
89
マッピングまたはイメージング用のもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
出願人:
スタンレー電気株式会社 STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 東京都目黒区中目黒2丁目9番13号 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636, JP
発明者:
中澤 克紀 NAKAZAWA, Katsunori; JP
後藤 浩成 GOTO, Hiroshige; JP
代理人:
特許業務法人創成国際特許事務所 SATO & ASSOCIATES; 東京都新宿区西新宿6-24-1 西新宿三井ビルディング 18階 Nishi-Shinjuku Mitsui Building 18F, 24-1, Nishi-Shinjuku 6-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023, JP
優先権情報:
2017-14940201.08.2017JP
発明の名称: (EN) IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置
要約:
(EN) An imaging element 400 comprises a p-epi 112, a surface-side n-type semiconductor region 117 separated from an adjacent PD by a channel stopper 115, and a surface-side p+ region 123. Voltages different from each other are applied to the channel stopper 115 or the p+ region 123 and the p-epi 112. The voltages generate an accelerating electric field that accelerates electrons generated in the p-epi 112 by a photoelectric effect to the n-type semiconductor region 11.
(FR) L'invention concerne un élément d'imagerie (400) comprenant une épitaxie P- (112), une région en semi-conducteur de type N (117) côté surface séparée d'un PD adjacent par un dispositif d'arrêt de canal (115), et une région P+ (123) côté surface. Des tensions mutuellement différentes sont appliquées au dispositif d'arrêt de canal (115) ou à la région P+ (123) et à l'épitaxie P- (112). Les tensions génèrent un champ électrique d'accélération qui accélère les électrons générés dans l'épitaxie P- (112) par un effet photoélectrique sur la région en semi-conducteur de type N (117).
(JA) 撮像素子400は、p-epi112と、チャンネルストッパ115により隣接のPDから分離された表面側のn型半導体領域117と、さらに表面側のp+領域123とを有する。チャンネルストッパ115又はp+領域123とp-epi112とに相互に異なる電圧が印加される。該電圧は、光電効果によりp-epi112に生成される電子をn型半導体領域11に加速する加速電界を生成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)