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1. (WO2019026478) 半導体処理用組成物および処理方法
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国際公開番号: WO/2019/026478 国際出願番号: PCT/JP2018/024333
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 27.06.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
横井 勝孝 YOKOI, Katsutaka; JP
山本 賢一 YAMAMOTO, Ken-ichi; JP
三星 蘭 MITSUBOSHI, Ran; JP
増田 奏衣 MASUDA, Kanae; JP
加茂 理 KAMO, Satoshi; JP
篠田 智隆 SHINODA, Tomotaka; JP
代理人:
大渕 美千栄 OFUCHI, Michie; JP
布施 行夫 FUSE, Yukio; JP
松本 充史 MATSUMOTO, Mitsufumi; JP
優先権情報:
2017-15056003.08.2017JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR TREATING SEMICONDUCTOR AND TREATMENT METHOD
(FR) COMPOSITION POUR TRAITER UN SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT
(JA) 半導体処理用組成物および処理方法
要約:
(EN) Provided are: a composition for treating a semiconductor, the composition being capable of suppressing damage by corrosion on tungsten-containing wires or the like of an object to be treated and efficiently removing contamination from the surface of the object to be treated; and a treatment method using the composition. The treatment method according to the present invention comprises a step for chemically-mechanically polishing a wiring substrate containing tungsten as a wiring material, by using a composition containing an iron ion and a peroxide, and thereafter treating the wiring substrate with a composition for treating a semiconductor, wherein the composition for treating a semiconductor comprises a compound (A) having two or more groups selected from the group consisting of tertiary amino groups and salts thereof and a water-soluble compound (B) having a solubility parameter of 10 or higher, and has a pH of 2-7.
(FR) L'invention concerne : une composition pour traiter un semi-conducteur, la composition étant apte à supprimer un endommagement par corrosion sur des fils contenant du tungstène ou similaire d'un objet à traiter et éliminant efficacement la contamination de la surface de l'objet à traiter; et un procédé de traitement utilisant la composition. Le procédé de traitement selon la présente invention comprend une étape de polissage chimico-mécanique d'un substrat de câblage contenant du tungstène en tant que matériau de câblage, en utilisant une composition contenant un ion fer et un peroxyde, et ensuite le traitement du substrat de câblage avec une composition pour le traitement d'un semi-conducteur, la composition pour le traitement d'un semi-conducteur comprenant un composé (A) ayant deux ou plusieurs groupes choisis dans le groupe constitué par des groupes amino tertiaires et des sels de ceux-ci et un composé soluble dans l'eau (B) ayant un paramètre de solubilité de 10 au minimum, et ayant un pH de 2 à 7.
(JA) 被処理体のタングステンを含む配線等に及ぼす腐食によるダメージを抑制し、被処理体の表面より汚染を効率的に除去できる半導体処理用組成物、およびそれを用いた処理方法を提供する。 本発明に係る処理方法は、配線材料としてタングステンを含む配線基板を、鉄イオンおよび過酸化物を含有する組成物を用いて化学機械研磨した後に、三級アミノ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の基を2個以上有する化合物(A)と、溶解パラメータが10以上の水溶性化合物(B)とを含有し、pHが2~7である半導体処理用組成物を用いて処理する工程を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)